[发明专利]半导体装置无效

专利信息
申请号: 200910204660.0 申请日: 2009-10-10
公开(公告)号: CN101728349A 公开(公告)日: 2010-06-09
发明(设计)人: 太田行俊;平野博茂;伊藤豊;小池功二 申请(专利权)人: 松下电器产业株式会社
主分类号: H01L23/485 分类号: H01L23/485;H01L23/528
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 汪惠民
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 半导体 装置
【权利要求书】:

1.一种半导体装置,其特征在于,

具有:绝缘膜,形成在半导体基板上;

接触用布线,形成在所述绝缘膜中;

保护膜,形成在所述接触用布线和所述绝缘膜上;

开口部,形成在所述保护膜上,使所述接触用布线露出;和

电极焊盘,形成在所述开口部,与所述接触用布线电连接,

所述开口部的下侧存在未配置所述接触用布线的区域。

2.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,

设置多个所述接触用布线在所述开口部的下侧。

3.根据权利要求2所述的半导体装置,其特征在于,

多个所述接触用布线之中的至少一个形成为环状。

4.根据权利要求3所述的半导体装置,其特征在于,

所述环状的接触用布线设置为与所述开口部的边缘重叠。

5.根据权利要求2所述的半导体装置,其特征在于,

多个所述接触用布线设置为不与所述开口部的边缘重叠。

6.根据权利要求2所述的半导体装置,其特征在于,

多个所述接触用布线包括第1接触用布线和比所述第1接触用布线小的第2接触用布线。

7.根据权利要求6所述的半导体装置,其特征在于,

所述第1接触用布线设置在所述开口部的周边部的下侧,所述第2接触用布线设置在所述开口部的中央部的下侧。

8.根据权利要求2所述的半导体装置,其特征在于,

多个所述接触用布线的至少1个形成为拐角部被倒角的方形状。

9.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,

在所述半导体基板与所述绝缘膜之间形成下层布线,

经由过孔连接所述接触用布线与所述下层布线。

10.根据权利要求1~9的任一项所述的半导体装置,其特征在于,

所述接触用布线由铜或铜合金构成,

所述电极焊盘由铝或铝合金构成。

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