[发明专利]脉冲输出电路,移位寄存器,和电子设备有效

专利信息
申请号: 200910204758.6 申请日: 2004-01-17
公开(公告)号: CN101674068A 公开(公告)日: 2010-03-17
发明(设计)人: 长尾祥;棚田好文;盐野入丰;三宅博之 申请(专利权)人: 株式会社半导体能源研究所
主分类号: H03K3/013 分类号: H03K3/013;H03K3/353;G11C19/28;G11C27/04;G09G3/20
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 王忠忠
地址: 日本神奈*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 脉冲 输出 电路 移位寄存器 电子设备
【说明书】:

本申请是申请人株式会社半导体能源研究所于2004年1月17日提 交的发明名称为“脉冲输出电路,移位寄存器,和电子设备”的中国 专利申请20041002830.4的分案申请。

技术领域

本发明涉及一种脉冲输出电路,一种移位寄存器,和一种显示装置。

背景技术

近年来,开发了一种显示装置,其中,通过使用由半导体薄膜形成 的薄膜晶体管(以下称为TFT)在一个绝缘基片上,特别是在玻璃或塑 料基片上形成一个电路。特别是有源矩阵显示装置的开发取得了显著 的进步。由TFT形成的有源矩阵显示装置包括数十万到数百万排列成矩 阵的像素,每个像素中提供的TFT控制每个像素的充电,以显示一个图 像。

此外,具有优良电气特性的多晶硅的发展取代了无定形TFT。通过 使用多晶硅TFT,发展了一种在形成一个构成像素的像素TFT的同时, 在像素部分的外围形成一个驱动电路的方法,作为最新的技术。该方 法大大促进了设备尺寸、重量和功耗的减小,因此,已经成为形成便 携式信息终端显示部分的关键技术,这些便携式信息终端的应用领域 近几年得到显著的扩展。

通常,由一个N型TFT和一个P型TFT的组合形成的CMOS电路用作显 示装置的驱动电路。该CMOS电路的特征在于只有当逻辑翻转(从高电 平到低电平或从低电平到高电平)时才有电流流过,在理想的情况下, 在保持某一数据的过程中,没有电流流过(实际上,有少部分漏电流)。 因此,该CMOS电路具有能够显著减少整个电路功率损耗和在高速运行 的优点,因为P型TFT和N型TFT是互补的。

但是,在该CMOS电路的制作方面,由于离子掺杂步骤等的复杂性, 制作的步骤增多了,因此,很难降低产品成本。因此,有人建议采用 由单一导电性TFT组成,即,要么由N型TFT组成,要么由P型TFT组成, 并且能够象CMOS电路一样高速运行的电路代替传统的由CMOS电路组成 的电路(例如,见专利文献1)。

根据专利文献1公开的电路,如图2A-2C所示,TFT205的栅极连接 到输出端子,将该栅极临时置于浮置状态,通过在TFT205的栅极和源 极之间利用容性耦合,栅极的电位可以高于电源电势。结果,可以获 得没有幅度衰减的输出,而不会由于TFT205的阈值电压导致电压降低。

TFT205中这样的操作称为自举操作。该操作便于脉冲输出,而不 会由于TFT的阈值电压而导致电压降落。

[专利文献1]

日本专利公开No.2002-335153

参考图2B所示的脉冲输出电路,输出节点的电位是焦点。图2C示 出图2A所示移位寄存器的操作时序。在没有脉冲输入和输出期间,图 2B所示脉冲输出电路的输入端子2和3的电位为低电平,即,TFT201- 204都截止。结果,TFT 205和TFT206的栅极都变为浮置状态。

此时,时钟信号CK1或CK2输入到输入端子1,也就是对应于TFT205 的第一电极的TFT205的漏区(关于TFT205的源区和漏区,较低电位部 分称为源区,较高电位部分称为漏区)。由于与漏区容性耦合,处于 浮置状态的TFT205的栅极的电位,也就是节点电位随时钟信号象噪声 一样变化,如图2C中的标号250所示。

该电位变化比额定幅度的脉冲小得多,因此,当电源电压(VDD与 VSS之间得电位差)足够大时,该变化并不重要。也就是说,由诸如噪 声等的电位变化导致TFT 205误动作的可能性很小。但是,在采用低电 压操作以降低功耗等的情况下,TFT 205可能误动作。

鉴于以上所述,本发明的主要目的是提供一种脉冲输出电路和一种 移位寄存器,其能够降低电路中的噪声,并更精确地操作。

发明内容

为了解决上述问题,本发明采用了以下措施。

在没有脉冲输出期间电位象噪声一样变化的原因之一是TFT205和 206处于浮置状态,且具有振幅的信号如时钟信号输入TFT205的漏区。

因此,根据本发明,诸如TFT205这样被输入一个具有幅度的信号 如时钟信号的TFT被配置为在没有脉冲输出的阶段固定到其ON或OFF状 态。

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