[发明专利]控制臭氧化水流量及浓度的设备和方法

权利要求书

1.一种混合半导体加工设备所用加压流体以避免溶解在所述流体中的气体 脱气的方法，包括：

接受具有第一流量和第一浓度的包含溶解气体的第一流体，所述第一流体 将提供给第一半导体加工设备；

接受具有第二流量和第二浓度的第二流体；

混合第一流体和第二流体形成具有第三流量和第三浓度的包含溶解气体 的第三流体，所述第三流体将提供给第二半导体加工设备，所述混合在压力下 进行以避免第一或第三流体中的溶解气体脱气，

所述第一流体是臭氧化水，所述第二流体是水。

2.如权利要求1所述方法，其特征在于所述混合包括调节所接受的第一流 体或第二流体的流速和体积中的至少一个。

3.如权利要求2所述方法，所述方法包括调节所接受的第一流体或第二流 体的流速和体积中的至少一个，以独立控制与提供给所述第一和第二加工设备 的流体相关的参数。

4.如权利要求1所述方法，所述方法包括调节所述第三流体的流速或体积 中的至少一个。

5.如权利要求1所述方法，所述方法包括混合所述第一和第二流体以形成 具有第四流量和第四浓度的第四流体，所述第四流体将提供给第三加工设备。

6.如权利要求1所述方法，所述方法包括设定所述第一或第三流体的流量 或浓度。

7.如权利要求6所述方法，其特征在于所述流量或浓度通过控制单元的控 制面板部分进行设定或者通过计算机控制进行远程设定。

8.如权利要求1所述方法，所述方法包括通过闭路过程调节至少一个阀以 控制所述第三流体的第三浓度或第三流量。

9.如权利要求1所述方法，所述方法包括监控压力传感器，以在超过安全 压力水平时允许紧急关机。

10.如权利要求1所述方法，所述方法包括仅将所述第二流体输送到所述第 一或第二半导体加工设备。

11.一种混合半导体加工设备所用加压流体以避免溶解在所述流体中的气 体脱气的设备，所述设备包括：

第一流体输入口，以接受具有第一流量和第一浓度的包含溶解气体的第一 流体，所述第一流体将提供给第一半导体加工设备；

第二流体输入口，以接受具有第二流量和第二浓度的第二流体；以及

至少一个阀，以控制所述第一流体或第二流体的流量或浓度中的至少一 个，形成具有第三流量和第三浓度的包含溶解气体的第三流体，所述第三流体 将提供给第二半导体加工设备，

所述第一流体是臭氧化水，所述第二流体是水。

12.如权利要求11所述设备，所述设备包括第二阀，以控制所述第一流体 或第二流体的流量或浓度中的至少一个以形成具有第四流量和第四浓度的第 四流体，所述第四流体将提供给第三加工设备。

13.如权利要求11所述设备，所述设备包括控制单元的控制面板部分以设 定至少一个所述流体的流量或浓度。

14.如权利要求11所述设备，所述设备包括控制单元以控制所述第一或第 三流体的浓度或流量。