[发明专利]具有原生型组件的电平移位器无效
| 申请号： | 200910205193.3 | 申请日： | 2009-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN102045056A | 公开（公告）日： | 2011-05-04 |
| 发明（设计）人： | 黄厚颖 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H03K19/0175 | 分类号： | H03K19/0175;H03K19/0185 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 史新宏 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 原生 组件 电平 移位 | ||
1.一种电平移位器，包括：
一第一反相器；
一第一原生型组件，其具有一第一端、耦接至该第一反相器的输出端的一第二端、以及耦接至该第一反相器的输入端的一控制端；
一第二原生型组件，其具有一第一端、耦接至该第一反相器的输入端的一第二端、以及耦接至该第一反相器的输出端的一控制端；
一第一晶体管，其具有耦接至一第一电压的一第一端、耦接至该第一原生型组件的第一端的一第二端、以及耦接至该第二原生型组件的第一端的一控制端；以及
一第二晶体管，其具有耦接至该第一电压的一第一端、耦接至该第二原生型组件的第一端的一第二端、以及耦接至该第一原生型组件的第一端的一控制端。
2.如权利要求1所述的电平移位器，其中该第一反相器是由一第二电压所供电。
3.如权利要求2所述的电平移位器，其中该第一电压是一输出入电压，而该第二电压是一核心电压。
4.如权利要求3所述的电平移位器，其中该输出入电压高于该核心电压。
5.如权利要求1所述的电平移位器，其中该第一晶体管与该第二晶体管是P沟道金属氧化物半导体晶体管。
6.如权利要求1所述的电平移位器，其中该第一原生型组件与该第二原生型组件是原生型N沟道金属氧化物半导体晶体管。
7.如权利要求1所述的电平移位器，还包括：
一第三晶体管，耦接于该第一晶体管与该第一原生型组件之间，其中该第三晶体管的第一端耦接至该第一晶体管的第二端，该第三晶体管的第二端耦接至该第一原生型组件的第一端，而该第三晶体管的控制端耦接至该第一反相器的输入端；以及
一第四晶体管，耦接于该第二晶体管与该第二原生型组件之间，其中该第四晶体管的第一端耦接至该第二晶体管的第二端，该第四晶体管的第二端耦接至该第二原生型组件的第一端，而该第四晶体管的控制端耦接至该第一反相器的输出端。
8.如权利要求7所述的电平移位器，其中该第一晶体管、该第二晶体管、该第三晶体管与该第四晶体管是P沟道金属氧化物半导体晶体管。
9.如权利要求1所述的电平移位器，还包括一第二反相器，其中该第二反相器的输出端耦接至该第一反相器的输入端。
10.如权利要求9所述的电平移位器，其中该第一反相器与该第二反相器是由一第二电压所供电。
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