[发明专利]相转变层的形成方法及使用该相转变层的相转变存储器件的制造方法

权利要求书

1.一种在半导体器件中形成相转变层的方法，包括：

(a)在目标区上沉积相转变材料；

(b)蚀刻所述目标区上的所述相转变材料的表面，以使表面坡度减小；和

(c)在所述相转变材料的经蚀刻表面上沉积另外的相转变材料，

其中步骤(b)和(c)实施N次，而(a)至(c)的每个步骤可重复多于一次。

2.根据权利要求1所述的形成相转变层的方法，其中N为2～5。

3.根据权利要求1所述的形成相转变层的方法，其中所述蚀刻工艺包括RF蚀刻工艺。

4.根据权利要求3所述的形成相转变层的方法，其中所述RF蚀刻工艺使用惰性气体实施。

5.根据权利要求4所述的形成相转变层的方法，其中所述惰性气体包括Ar。

6.根据权利要求3所述的形成相转变层的方法，其中所述RF蚀刻工艺使用50～500W的偏压功率实施。

7.根据权利要求3所述的形成相转变层的方法，其中所述RF蚀刻工艺使用400W的等离子体功率和500W的偏压功率实施。

8.根据权利要求3所述的形成相转变层的方法，其中所述RF蚀刻工艺使用400W的等离子体功率和300W的偏压功率实施。

9.根据权利要求3所述的形成相转变层的方法，其中所述RF蚀刻工艺使用400W的等离子体功率和100W的偏压功率实施。

10.根据权利要求1所述的形成相转变层的方法，其中所述相转变层包含选自Ge、Sb和Te中的至少两种不同的元素或包含选自In-Sb-Te和Ge-Bi-Te中的任意一种。

11.一种制造相转变存储器件的方法，包括：

形成下电极；

在所述下电极上形成具有孔的层间电介质；

形成填充所述孔的相转变层，包括：

(a)沉积相转变材料以填充所述孔；

(b)蚀刻填充所述孔的沉积的所述相转变材料的表面以减小表面的坡度；和

(c)在填充所述孔的所述相转变材料的经蚀刻表面上沉积另外的相转变材料，

其中(b)和(c)实施N次，而(a)至(c)的每个步骤可重复多于一次；和

在所述相转变层上形成上电极。

12.根据权利要求11所述的制造相转变存储器件的方法，其中预定的N为2～5。

13.根据权利要求11所述的制造相转变存储器件的方法，其中所述孔形成为的深度。

14.根据权利要求11所述的制造相转变存储器件的方法，其中所述蚀刻工艺为RF蚀刻工艺。

15.根据权利要求14所述的制造相转变存储器件的方法，其中所述RF蚀刻工艺使用惰性气体实施。

16.根据权利要求15所述的制造相转变存储器件的方法，其中所述惰性气体包括Ar。

17.根据权利要求14所述的制造相转变存储器件的方法，其中所述RF蚀刻工艺使用50～500W的偏压功率实施。

18.根据权利要求14所述的制造相转变存储器件的方法，其中所述RF蚀刻工艺使用400W的等离子体功率和500W的偏压功率实施。

19.根据权利要求14所述的制造相转变存储器件的方法，其中所述RF蚀刻工艺使用400W的等离子体功率和300W的偏压功率实施。

20.根据权利要求14所述的制造相转变存储器件的方法，其中所述RF蚀刻工艺使用400W的等离子体功率和100W的偏压功率实施。

21.根据权利要求11所述的制造相转变存储器件的方法，其中所述相转变层包含选自Ge、Sb和Te中的至少两种不同的元素或包含选自In-Sb-Te和Ge-Bi-Te中的任意一种。

22.根据权利要求11所述的制造相转变存储器件的方法，其中所述相转变层形成为具有受限结构或半受限结构。