[发明专利]检测非易失性存储单元的阈值电压位移的方法

权利要求书

1.一种操作非易失性存储装置的方法，包括：

使用从与特定温度范围相关的理想校验电压Vv得出的校验电压电平， 在存储装置中编程采样数据用于校验；

使用与所述温度范围相关的所述校验电压Vv执行对所述采样数据的读 取校验操作；和

基于所述读取校验操作的结果来确定温度补偿参数Nc，

其中，编程所述采样数据包括在对应Vv到Vv-(N-1)Vd的N个间隔编程 所述采样数据，其中Vd对应于每单位温度在用于编程的采样数据的阈值电 压Vth中的位移，并且

其中，确定所述温度补偿参数Nc包括基于在对所述采样数据执行所述 读取校验操作时通过和失败的所述N个间隔的数量来确定所述温度补偿参数 Nc。

2.如权利要求1所述的方法，进一步包括：

使用温度补偿电压Vtemp＝Vorg+Nc*Vd作为所述非易失性存储装置中的 编程电压、读取电压、和/或校验电压，其中Vorg是没有与将被编程、读取、 和/或校验的数据相关的温度补偿的电压。

3.如权利要求2所述的方法，其中所述存储装置包括闪存，所述方法进 一步包括：

使用多个所述温度补偿电压Vtemp编程闪存中的目标页。

4.如权利要求2所述的方法，其中所述存储装置包括闪存，所述方法进 一步包括：

使用多个所述温度补偿电压Vtemp读取闪存中的目标页。

5.如权利要求1所述的方法，其中所述存储装置包括闪存，所述方法进 一步包括：

读取所述闪存中的目标页；

确定所述目标页中的误差是否可校正；和

其中当所述目标页中的误差不可校正时，执行编程所述采样数据，执行 对所述采样数据的所述读取校验操作，以及确定所述温度补偿参数。

6.如权利要求1所述的方法，其中所述存储装置包括闪存。

7.如权利要求6所述的方法，其中所述闪存包括NAND、NOR、或 One_NAND型闪存。

8.如权利要求1所述的方法，其中所述存储装置体现为存储卡装置、固 态驱动(SSD)装置、ATA总线装置、串行ATA(SATA)总线装置、小型计算机 系统接口(SCSI)装置、串行附属SCSI(SAS)装置、多媒体卡(MMC)装置、安 全数字(SD)装置、记忆棒装置、硬盘驱动(HDD)装置、混合硬盘驱动(HHD) 装置、或通用串行总线(USB)闪存驱动装置。

9.如权利要求1所述的方法，其中所述存储装置体现为图形卡、计算机、 移动终端、个人数字助理(PDA)、照相机、游戏控制台、MP3播放器、电视 机、DVD播放器、路由器、或GPS系统。

10.一种操作非易失性存储系统的方法，包括：

从主机发送采样页读取指令到存储装置；

使用从与特定温度范围相关的理想校验电压Vv得出的校验电压电平， 在所述存储装置中编程采样数据用于校验；

使用与所述存储装置中所述温度范围相关的所述校验电压Vv对所述采 样数据执行读取校验操作；

将所述读取校验操作的结果提供给所述主机；和

在所述主机基于所述读取校验操作的结果来确定温度补偿参数Nc，

其中，编程所述采样数据包括在对应Vv到Vv-(N-1)Vd的N个间隔编程 所述采样数据，其中Vd对应于每单位温度在用于编程的采样数据的阈值电 压Vth中的位移，并且

其中，确定所述温度补偿参数Nc包括基于在对所述采样数据执行所述 读取校验操作时通过和失败的所述N个间隔的数量来确定所述温度补偿参数 Nc。

11.如权利要求10所述的方法，进一步包括：

从所述主机通知所述存储装置至少一个温度补偿电压 Vtemp＝Vorg+Nc*Vd以用作非易失性存储装置中的编程电压、读取电压、和/ 或校验电压，其中Vorg是没有与将被编程、读取、和/或校验的数据相关的温 度补偿的电压。