[发明专利]制造相变存储器器件的等离子体处理方法以及由此制造的存储器器件

权利要求书

1.一种制造相变存储器器件的方法，包括：

在衬底上形成第一电极；

在所述第一电极上形成硫族化物材料；

对所述硫族化物材料充分地进行等离子体处理，以对整个所述硫 族化物材料引入等离子体物质；

在所述硫族化物材料上形成第二电极。

2.根据权利要求1所述的方法：

其中在所述第一电极上形成硫族化物材料包括：在所述第一电极 上形成其中包括孔的绝缘层，以及在所述孔内和所述孔外的绝缘层上 形成所述硫族化物材料；以及

其中对所述硫族化物材料进行等离子体处理包括：对在所述孔内 以及所述孔外的绝缘层上的所述硫族化物材料进行等离子体处理。

3.根据权利要求1所述的方法：

其中在所述第一电极上形成硫族化物材料包括：在所述第一电极 上形成其中包括孔的绝缘层、在所述孔内以及所述孔外的绝缘层上形 成所述硫族化物材料以及去除所述孔外的所述硫族化物材料；以及

其中对所述硫族化物材料进行等离子体处理包括：在去除所述孔 外的所述硫族化物材料之后，但是在所述硫族化物材料上形成所述第 二电极之前，对所述孔内的硫族化物材料进行等离子体处理。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，执行在所述硫族化物材料 上形成第二电极以便暴露所述硫族化物材料的侧壁，以及其中在所述 硫族化物材料上形成所述第二电极之后，通过所述暴露的侧壁执行等 离子体处理所述硫族化物材料。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，对所述硫族化物材料进行 等离子体处理包括：对所述硫族化物材料充分地进行氢等离子体处理， 以对整个所述硫族化物材料引入氢。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，对所述硫族化物材料进行 等离子体处理包括：对所述硫族化物材料充分地进行卤素等离子体处 理，以对整个所述硫族化物材料引入卤素。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，对所述硫族化物材料进行 等离子体处理在小于约100W的等离子体功率下进行。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，对所述硫族化物材料进行 等离子体处理在低于约350℃的温度下进行。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，对所述硫族化物材料进行 等离子体处理在约25W与约50W之间的等离子体功率下以及在约 200℃与约350℃之间的温度下进行。

10.根据权利要求1所述的方法，其中，对所述硫族化物材料充 分地进行等离子体处理，以对整个所述硫族化物材料引入至少约5at.％ 的等离子体物质。

11.根据权利要求1所述的方法，其中，对所述硫族化物材料充 分地进行等离子体处理，以对整个所述硫族化物材料引入在约10at.％ 与约20at.％之间的等离子体物质。

12.根据权利要求1所述的方法，其中，对所述硫族化物材料充 分地进行等离子体处理，以在所述硫族化物材料的边缘处引入给定at.％ 的等离子体物质，以及在所述硫族化物材料的中心处引入给定at.％的 至少1/6的等离子体物质。

13.根据权利要求1所述的方法，其中，对所述硫族化物材料充 分地进行等离子体处理，以使所述硫族化物材料中的等离子体物质的 at.％产生少于约6倍的变化。

14.一种相变存储器器件，包括：

衬底；

第一电极，在所述利底上；

硫族化物材料，在所述第一电极上，整个所述硫族化物材料具有 氢和/或卤素；以及

第二电极，在所述硫族化物材料上。

15.根据权利要求14所述的器件，其中，整个所述硫族化物材料 具有至少约5at.％的氢和/或卤素。

16.根据权利要求14所述的器件，其中，整个所述硫族化物材料 具有在约10at.％与约20at.％之间的氢和/或卤素。