[发明专利]二氧化硅组合物的选择性蚀刻有效

申请号：	200910205725.3	申请日：	2009-08-28
公开（公告）号：	CN101667609A	公开（公告）日：	2010-03-10
发明（设计）人：	G·M·米歇尔;S·A·莫蒂卡;A·D·约翰逊	申请（专利权）人：	气体产品与化学公司
主分类号：	H01L31/18	分类号：	H01L31/18;H01L21/00
代理公司：	中国专利代理(香港)有限公司	代理人：	万雪松;韦欣华
地址：	美国宾夕***	国省代码：	美国;US
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摘要：
搜索关键词：	二氧化硅组合选择性蚀刻
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【权利要求书】：

1.一种优先于硅而选择性蚀刻含二氧化硅的材料的方法，该方法包括以下步骤：

将具有含二氧化硅的材料层的硅衬底放置于配有能量源的反应室中；

在该反应室中制造真空；

向该反应室中引入包含氟化合物、可聚合碳氟化合物和惰性气体的反应气体混合物，其中该反应气体混合物中基本不含有添加的氧，其中该可聚合碳氟化合物是具有C_hF_i分子式的化合物，其中h的数值范围为从4到6，i的数值范围为h到2h+2，其中该氟化合物是NF3，且该可聚合碳氟化合物是C4F6，其中C4F6 的浓度是该反应气体混合物的5％，且NF3的浓度是该反应气体混合物的5％；

激活该能量源以在该反应室中形成等离子体激活的反应蚀刻气体混合物；和

优先于硅衬底而选择性蚀刻该含二氧化硅的材料。

2.根据权利要求1的方法，其中该反应气体混合物中的可聚合碳氟化合物与氟化合物的比例为1∶1。

3.根据权利要求1的方法，其中该含二氧化硅的材料选自二氧化硅和有机硅酸盐玻璃组成的组。

4.根据权利要求3的方法，其中该有机硅酸盐玻璃选自磷硅酸盐玻璃和氟硅酸盐玻璃组成的组。

5.根据权利要求4的方法，其中该含二氧化硅的材料是磷硅酸盐玻璃。

6.根据权利要求3的方法，其中该含二氧化硅的材料基本上是二氧化硅。

7.一种优先于硅而选择性蚀刻含二氧化硅的材料的方法，该方法包括以下步骤：

将具有含二氧化硅的材料层的硅衬底放置于配有电极的反应室中；

在该反应室中制造真空；

向该电极提供高频电能量以在该反应室中形成等离子体激活的反应蚀刻气体混合物；和

优先于硅衬底而选择性蚀刻该含二氧化硅的材料。