[发明专利]键合两个衬底的方法有效
| 申请号： | 200910205744.6 | 申请日： | 2009-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN101764052A | 公开（公告）日： | 2010-06-30 |
| 发明（设计）人： | 阿诺德·卡斯泰 | 申请（专利权）人： | 硅绝缘体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L31/00 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 李辉 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 两个 衬底 方法 | ||
1.一种键合两个衬底的方法，所述方法包括下列步骤：
a）对这两个衬底中的至少一个进行活化处理；
b）在低真空的情况下使这两个衬底彼此接触，其中，所述低真空的 压力为1-50Torr，即1.33mbar-66.7mbar。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，这两个衬底中的至少一个具 有处理过的或至少部分处理过的器件。
3.根据权利要求1至2之一所述的方法，其中，所述步骤b）在室 温下实施。
4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述步骤b）在18℃-26℃ 的温度范围内实施。
5.根据权利要求1所述的方法，其中，在键合之后，在后续处理步 骤期间，将键合后的衬底暴露在最高500℃的温度情况下。
6.根据权利要求5所述的方法，其中，在键合之后，在后续处理步 骤期间，将键合后的衬底暴露在最高300℃的温度情况下。
7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述活化处理包括对要被键 合的一个或多个表面执行下列步骤中的至少一个：等离子体活化、抛光 步骤、清洗步骤和擦洗步骤。
8.根据权利要求7所述的方法，其中，针对不具有处理过的或至少 部分处理过的器件的衬底的活化处理包括按照下列顺序执行的清洗步 骤、等离子体活化、清洗步骤和擦洗步骤。
9.根据权利要求7或8所述的方法，其中，针对具有处理过的或至 少部分处理过的器件的衬底的活化处理包括按照下列顺序执行的抛光步 骤和清洗步骤。
10.根据权利要求9所述的方法，其中，所述活化处理还包括在所 述清洗步骤之后的等离子体活化步骤和/或擦洗步骤。
11.根据权利要求1所述的方法，其中，所述接触步骤是在干燥气 氛下实施的。
12.根据权利要求11所述的方法，其中，所述接触步骤是在H2O分 子少于100ppm的气氛下实施的。
13.根据权利要求1所述的方法，其中，所述接触步骤是在中性气 氛下实施的。
14.根据权利要求13所述的方法，其中，所述接触步骤是在氩和/ 或氮的气氛下实施的。
15.根据权利要求1所述的方法，所述方法进一步包括在处理过的 器件上设置介电层的步骤，其中，键合发生在所述介电层的表面和第二 衬底的一个表面之间。
16.根据权利要求15所述的方法，所述方法进一步包括在处理过的 器件上设置氧化物层的步骤，其中，键合发生在所述氧化层的表面和第 二衬底的一个表面之间。
17.根据权利要求1所述的方法，所述方法进一步包括在键合之后 减薄这两个衬底中的至少一个的步骤。
18.光电器件，其包括根据权利要求1-17之一所述的方法制造的 衬底。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
