[发明专利]执行编程和验证操作的可变电阻存储器装置无效
申请号: | 200910205790.6 | 申请日: | 2009-10-16 |
公开(公告)号: | CN101727982A | 公开(公告)日: | 2010-06-09 |
发明(设计)人: | 黄荣南;严昌镕 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | G11C16/02 | 分类号: | G11C16/02;G11C13/00;G06F12/00 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 李佳;穆德骏 |
地址: | 韩国京畿道水*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 执行 编程 验证 操作 可变 电阻 存储器 装置 | ||
1.一种可变电阻存储器装置,包括:
存储器单元阵列,所述存储器单元阵列包括多个存储器单元;
脉冲移位器,所述脉冲移位器对多个编程脉冲进行移位,以生成多个移位的编程脉冲;
写及验证驱动器,所述写及验证驱动器接收所述多个移位的编程脉冲,以将编程电流提供给所述多个存储器单元,所述编程电流随所述多个移位的编程脉冲而变化;以及
控制逻辑,所述控制逻辑在编程/验证操作期间将所述多个编程脉冲提供给所述脉冲移位器和所述写及验证驱动器,使得在所述编程/验证操作期间至少两个写数据比特被并行地编程到所述存储器单元阵列。
2.如权利要求1的可变电阻存储器装置,其中所述脉冲移位器接收多个验证脉冲并生成对应的多个移位的验证脉冲。
3.如权利要求2的可变电阻存储器装置,其中所述多个移位的编程脉冲和所述多个移位的验证脉冲彼此不同步。
4.如权利要求3的可变电阻存储器装置,其中所述控制逻辑在所述编程操作期间将所述多个验证脉冲提供给所述脉冲移位器和所述写及验证驱动器。
5.如权利要求1的可变电阻存储器装置,其中所述多个存储器单元中的每一个是被配置为存储多个数据比特的相变存储器单元。
6.如权利要求1的可变电阻存储器装置,其中所述编程电流在所述编程/验证操作期间以增量方式增加或减少。
7.如权利要求1的可变电阻存储器装置,还包括:
写缓冲器,所述写缓冲器暂时存储从所述存储器阵列获取的读数据和将要经由所述写及验证驱动器被编程到所述存储器单元阵列的写数据。
8.如权利要求7的可变电阻存储器装置,还包括:
数据输入/输出缓冲器,所述数据输入/输出缓冲器传输来自外部装置的所述写数据和将所述读数据传输到所述外部装置。
9.如权利要求8的可变电阻存储器装置,其中所述写及验证驱动器为数据输入/输出缓冲器提供读数据。
10.一种存储器系统,包括:
微处理器,所述微处理器接收来自输入/输出元件的写数据并将所述写数据传输给可变电阻存储器装置,
其中所述可变电阻存储器装置包括:
存储器单元阵列,所述存储器单元阵列包括多个存储器单元;
脉冲移位器,所述脉冲移位器对多个编程脉冲进行移位,以生成多个移位的编程脉冲;
写及验证驱动器,所述写及验证驱动器接收所述多个移位的编程脉冲,以将编程电流提供给所述多个存储器单元,所述编程电流随所述多个移位的编程脉冲而变化;以及
控制逻辑,所述控制逻辑在编程/验证操作期间将所述多个编程脉冲提供给所述脉冲移位器和所述写及验证驱动器,使得在所述编程/验证操作期间至少两个写数据比特被并行地编程到所述存储器单元阵列。
11.如权利要求10的存储器系统,其中所述脉冲移位器接收多个验证脉冲并生成对应的多个移位的验证脉冲。
12.如权利要求11的存储器系统,其中所述多个移位的编程脉冲和所述多个移位的验证脉冲彼此不同步。
13.如权利要求12的存储器系统,其中所述控制逻辑在所述编程操作期间将所述多个验证脉冲提供给所述脉冲移位器和所述写及验证驱动器。
14.如权利要求10的存储器系统,其中所述多个存储器单元中的每一个是被配置为存储多个数据比特的相变存储器单元。
15.如权利要求10的存储器系统,其中所述编程电流在所述编程/验证操作期间以增量方式增加或减少。
16.如权利要求10的存储器系统,还包括:
写缓冲器,所述写缓冲器暂时存储从所述存储器阵列获取的读数据和将要经由所述写及验证驱动器被编程到所述存储器单元阵列的写数据。
17.如权利要求16的存储器系统,还包括:
数据输入/输出缓冲器,所述数据输入/输出缓冲器传输来自外部装置的所述写数据和将所述读数据传输到所述外部装置。
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