[发明专利]半导体器件结构及其制造方法有效
| 申请号： | 200910205812.9 | 申请日： | 2009-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN102044523A | 公开（公告）日： | 2011-05-04 |
| 发明（设计）人： | 谢宝强;朱旋;肖玉洁;杨兆宇 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L23/60;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 结构 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体器件结构，其特征在于，包括：半导体衬底，所述半导体衬底分为器件区和虚拟区，所述虚拟区位于半导体衬底的边缘；若干绝缘层，其中一层绝缘层位于半导体衬底上；若干金属布线层，形成于各绝缘层之间；器件区导电插塞，位于各绝缘层内且贯穿绝缘层厚度，用于将各金属布线层进行互相连接；虚拟区导电插塞，位于绝缘层内且贯穿绝缘层厚度，用于将任意一层金属布线层与半导体衬底直接连接。
2.根据权利要求1所述半导体器件结构，其特征在于，所述金属布线层的材料为铜或铝。
3.根据权利要求1所述半导体器件结构，其特征在于，所述绝缘层的材料为二氧化硅或掺杂型氧化硅。
4.根据权利要求3所述半导体器件结构，其特征在于，所述绝缘层的厚度为小于10000埃。
5.一种半导体器件结构的制造方法，其特征在于，包括：
提供半导体衬底，所述半导体衬底分为器件区和虚拟区，所述虚拟区位于半导体衬底的边缘；
在半导体衬底上依次交替形成若干绝缘层和若干金属布线层，所述绝缘层内形成有贯穿绝缘层厚度的器件区导电插塞和虚拟区导电插塞；
通过器件区导电插塞将各金属布线层进行互相连接，通过虚拟区导电插塞将任意一层金属布线层与半导体衬底直接连接。
6.根据权利要求5所述半导体器件结构的制造方法，其特征在于，所述金属布线层的材料为铜或铝。
7.根据权利要求5或6所述半导体器件结构的制造方法，其特征在于，形成所述金属布线层的方法为电镀法或化学气相沉积法。
8.根据权利要求5所述半导体器件结构的制造方法，其特征在于，所述绝缘层的材料为二氧化硅或掺杂型氧化硅。
9.根据权利要求8所述半导体器件结构的制造方法，其特征在于，所述绝缘层的厚度为小于10000埃。
10.根据权利要求9所述半导体器件结构的制造方法，其特征在于，形成所述绝缘层的方法为化学气相沉积法。
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