[发明专利]单井电压的电压电平转换器

说明书

本申请是申请号为200710181912.3、申请日为2007年10月12 日、发明名称为“单井电压的电压电平转换器”的原案申请的分案 申请。

技术领域

本发明主要涉及一种集成电路设计(IC)，特别是涉及一种电 压电平转换器设计。

背景技术

随着半导体特征尺寸降低至深亚微米级，其操作电压也不得不 降低。例如，在65nm的工艺技术中，操作电压大约1.0V。但是 在这种芯片之外，即在系统电平中，操作电压仍维持在例如1.8V。 然后就需要电压电平转换器。高至低电压电平转换器将输入信号从 1.8V转换至用于芯片内部操作的1.0V。低至高电压电平转换器将 输入信号从1.0V转换至用于系统操作的1.8V。

传统的电压电平转换器使用二级互补式金属氧化物半导体 (CMOS)电路，第一级在第一电压时操作，第二级在第二电压时 操作。当适当调整临界电压时，它们可实现所需的电压电平转换。

然而，传统的电压电平转换器占据大量的布局面积。因为在第 一级时P型金属氧化物半导体(PMOS)晶体管的第一N井与第一 电压连接，而在第二级逆变器时PMOS晶体管的第二N井与第二 电压连接，因此，该第一和第二N井必须分开并必须保持一定的间 离，而这间离又由所使用的技术决定。二个分离的N井当然比单N 井占据更大的布局面积。

如此一来，人们期望有一种具有与单个电压连接的N井的电压 电平转换器，因此，第一和第二PMOS晶体管都可以形成在单N 井中。

发明内容

本发明涉及一种电压电平转换器。根据本发明一实施例，该电 压电平转换器包括：一第一P型金属氧化物半导体(PMOS)晶体 管，该第一PMOS晶体管具有分别与一输入端、一第一正电压电源 和一第二正电压电源连接的一栅极、一源极和一衬底；及，一第二 PMOS晶体管，该第二PMOS晶体管具有与一输出节点连接的一漏 极，和都与该第二正电压电源连接的一源极和一衬底；其中，该第 一和第二PMOS晶体管形成在一单N井中。

根据本发明另一实施例，该电压电平转换器包括：一第一P型 金属氧化物半导体(PMOS)晶体管，该第一PMOS晶体管具有与 一输入端连接的一栅极、都与一第一正电压电源连接的一源极和一 衬底；以及，一第二PMOS晶体管，该第二PMOS晶体管具有分 别与一第二正电压电源、一输出节点和该第一正电压电源连接的一 源极、一漏极和一衬底；其中，该第一和第二PMOS晶体管形成在 一单N井中。

然而，可结合附图，从下列具体实施的说明中更好地理解本发 明操作的结构和方法，及其它的目的和优点。

附图说明

结合附图和说明书的形成部分来描述本发明的某些方面。参考 附图所解释的示例性的非限制性实施例，本发明的更清楚的概念及 本发明提供的部件和操作系统将变得更加明朗，其中，相似的标号 (如果它们出现在一个以上的附图中)代表相同的部件。参考一幅 或多幅附图并结合说明书，可更好地理解本发明。值得注意的是， 附图中所示的特征并非按照比例。

图1是描述传统低至高电压电平转换器的示意图；

图2是根据本发明一实施例描述一低至高电压电平转换器的示 意图；

图3是根据本发明另一实施例描述一高至低电压电平转换器的 示意图。

具体实施方式

本发明涉及仅利用一个N井电压的电压电平转换器。