[发明专利]半导体器件的制造方法和半导体器件的制造装置

权利要求书

1.一种半导体器件的制造方法，包括对在基板上形成的低介电常数 绝缘膜进行蚀刻的蚀刻处理工序、和在该蚀刻处理工序后把上述基板曝 露在CO₂等离子体中的CO₂等离子体处理工序，其特征在于，

在上述CO₂等离子体处理工序后，进行对上述低介电常数绝缘膜照 射紫外线的紫外线处理工序。

2.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，

上述CO₂等离子体处理工序是用于除去在上述蚀刻处理工序中作 为蚀刻掩模使用的光致抗蚀剂层的CO₂等离子体灰化处理工序。

3.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，

上述CO₂等离子体处理工序是用于除去在上述蚀刻工序中产生的 附着物的清洗处理工序。

4.根据权利要求1～3中任意一项所述的半导体器件的制造方法，其 特征在于，

在上述紫外线处理工序之后，进行使上述低介电常数绝缘膜甲硅烷 基化的甲硅烷基化处理工序。

5.一种半导体器件的制造装置，其特征在于，具有：

蚀刻处理机构，其用于进行对在基板上形成的低介电常数绝缘膜实 施蚀刻的蚀刻处理工序；

CO₂等离子体处理机构，其用于进行在该蚀刻处理工序后把上述基 板曝露在CO₂等离子体中的CO₂等离子体处理工序；

紫外线处理机构，其用于在上述CO₂等离子体处理工序后，进行对 上述低介电常数绝缘膜照射紫外线的紫外线处理工序；和

用于搬送上述基板的搬送机构。

6.根据权利要求5所述的半导体器件的制造装置，其特征在于，

还具有甲硅烷基化处理机构，该甲硅烷基化处理机构用于在上述紫 外线处理工序之后，进行使上述低介电常数绝缘膜甲硅烷基化的甲硅烷 基化处理工序。

7.根据权利要求6所述的半导体器件的制造装置，其特征在于，

上述甲硅烷基化处理机构和上述紫外线处理机构被设在同一处理 室内，能够在同一处理室内实施紫外线处理工序和甲硅烷基化处理工 序。

8.根据权利要求7所述的半导体器件的制造装置，其特征在于，

上述甲硅烷基化处理机构具有甲硅烷基化剂蒸汽供给机构，其用于 向上述处理室内供给甲硅烷基化剂的蒸汽；和

氮气供给机构，其与上述甲硅烷基化剂蒸汽供给机构相互独立，用 于向上述处理室内供给氮气。

9.根据权利要求5～8中任意一项所述的半导体器件的制造装置，其 特征在于，

上述搬送机构被设在真空处理室内，构成为在真空气氛中搬送上述 基板。

10.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：

在形成于基板上的低介电常数绝缘膜的表面上形成具有规定的电 路图形的蚀刻掩模的工序；

通过上述蚀刻掩模蚀刻上述低介电常数绝缘膜，在该低介电常数绝 缘膜中形成槽或孔的蚀刻处理工序；

在上述蚀刻处理工序之后，使用CO₂等离子体除去上述蚀刻掩模的 CO₂等离子体处理工序；和

在上述CO₂等离子体处理工序之后，向上述低介电常数绝缘膜照射 紫外线的紫外线处理工序。

11.根据权利要求10所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，

在上述紫外线处理工序之后，进行使上述低介电常数绝缘膜甲硅烷 基化的甲硅烷基化处理工序。

12.根据权利要求11所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，

包括：在上述甲硅烷基化处理工序之后，在上述槽或孔内填埋导电 性金属的工序。