[发明专利]半导体器件及制造半导体器件的方法有效
| 申请号： | 200910206179.5 | 申请日： | 2009-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN101740547A | 公开（公告）日： | 2010-06-16 |
| 发明（设计）人： | 本山幸一 | 申请（专利权）人： | 恩益禧电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/532 | 分类号： | H01L23/532;H01L21/768;C23C14/14;C23C14/34 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 孙志湧;安翔 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
1.一种半导体器件，包括：
绝缘膜；
沟槽，其形成在所述绝缘膜中；
阻挡金属膜，其形成在所述沟槽的侧壁和底表面上，并且由钛和 钽的合金构成；以及
铜布线，其堆叠在所述阻挡金属膜上，并且位于所述沟槽中，
其中，所述阻挡金属膜的钛浓度等于或大于0.1at％并且等于或小 于14at％。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，
所述阻挡金属膜的钛浓度等于或大于0.1at％并且等于或小于 10at％。
3.一种制造半导体器件的方法，包括：
在半导体基板上形成绝缘膜；
在所述绝缘膜中形成沟槽；
在所述沟槽的侧表面和底表面中的每个上形成阻挡金属膜，所述 阻挡金属膜由钛和钽的合金构成；以及
在所述沟槽中埋置铜膜，
其中，所述阻挡金属膜中的钛浓度等于或大于0.1at％并且等于或 小于14at％。
4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述阻挡金属膜的钛浓度 等于或大于0.1at％并且等于或小于10at％。
5.根据权利要求3或4所述的方法，进一步包括：在将所述铜膜 埋置于所述沟槽中之后，对所述阻挡金属膜进行热处理。
6.根据权利要求5所述的方法，其中，在等于或高于250℃并且 等于或低于400℃的温度下，进行所述热处理。
7.一种溅射设备的靶，用于在阻挡金属膜上形成铜布线，其中， 所述靶由钽和钛构成，并且包含浓度等于或大于0.1at％并且等于或小 于14at％的钛。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于恩益禧电子股份有限公司，未经恩益禧电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200910206179.5/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：无烟电烧烤炉的玻璃翻盖结构
- 下一篇：一种加热汉堡的烤盘
