[发明专利]一种铝镁酸钪纳米粉体及其制备方法有效
申请号: | 200910206255.2 | 申请日: | 2009-10-18 |
公开(公告)号: | CN101693548A | 公开(公告)日: | 2010-04-14 |
发明(设计)人: | 袁桃生;邹宇琦;徐军;周海涛 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
主分类号: | C01F17/00 | 分类号: | C01F17/00 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 200050*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 铝镁酸钪 纳米 及其 制备 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种铝镁酸钪纳米粉体及其制备方法,属于粉体制备领域。
背景技术
上世纪90年代中期被发现并应用的新型衬底晶体铝镁酸钪,以其优良的物化性能引起人们广泛的重视。这种新型衬底主要用在GaN和ZnO等宽禁带半导体外延膜的生长上,特别是在ZnO外延膜的生长上有突出的优势,铝镁酸钪的跟ZnO的极小的晶格失配度(失配度仅为0.08%,为已知的ZnO异质衬底中最小的)在外延膜的生长中发挥了巨大的作用,从而最终首次实现了ZnO的室温蓝紫发光。生长高质量的铝镁酸钪单晶,一般采用提拉法,然而实际生长的晶体质量总不令人满意,主要存在的问题是解理造成大的高质量单晶难以获得。由于ScAlMgO4本身具备的适合生长ZnO的特性以及单晶生长存在的困难,日本的科研人员先后在蓝宝石(0001)和YSZ(yttria-stabilizedzirconia)(111)衬底上尝试生长了ScAlMgO4单晶膜,以期能够生长出高质量的单晶膜作为制备ZnO薄膜的缓冲层。然而无论是单晶的生长还是薄膜的制备都存在成分偏离的问题,这是导致单晶质量和薄膜质量不甚理想的一个重要因素。所以采用直接合成该化合物的纯相再进行单晶和薄膜的生长,是解决单晶和薄膜质量不理想的一个有效的手段。
ScAlMgO4作为复合氧化物材料,采用传统的固相法进行合成,由于这三种原料氧化物的熔点都超过2000℃,所以在密封的铂金管中煅烧温度高达1400℃情况下仍需要经192小时后才能得到ScAlMgO4粉末,而在普通马弗炉中采用高纯原料(纯度4N-5N)1400℃经168小时煅烧后没有完全合成ScAlMgO4,粉末谱图中还存在MgAl2O4和Sc2O3相。在晶体生长过程存在着MgO的挥发,从而难以生长出高质量大尺寸的单晶。而在薄膜的制备过程中需要过量的氧化钪才能得到ScAlMgO4单一相的薄膜。Pechini法是一种常用的有效的液相合成复杂氧化物的方法,该方法主要基于乙二醇对金属的柠檬酸盐缩聚作用。而本发明不需要乙二醇,直接对混合的柠檬酸盐进行热处理,利用柠檬酸根本身的聚合作用就能合成复杂的氧化物,这种方法比Pechini法更简单、成本更低,对环境更加友好。
发明内容
为解决上述制备单晶及薄膜的问题,本发明的目的是提供一种铝镁酸钪纳米粉体及其制备方法,首先通过液相合成含铝、镁、钪三种元素的柠檬酸盐前驱体,然后通过煅烧前驱体直接获得铝镁酸钪粉体。
在本发明中,由于在前体的制备过程中,铝离子、镁离子和钪离子可以在溶液中达到原子级的均匀混合,因此能够保证微环境中上述三种元素的能够符合比例,从而使前驱体中元素比例与目标化合物的元素比例相同。
本发明的ScAlMgO4纳米粉体的制备包括以下步骤:
(1)形成可溶性钪盐的溶液,所述溶液浓度在0.1~2mol/L。所述可溶性钪盐可采用硝酸钪、硫酸钪、氯化钪、氟化钪等,也可采用将Sc2O3在加热搅拌下溶解于酸中所得。
(2)形成可溶性铝盐的溶液,所述溶液浓度在0.1~2mol/L。所述可溶性铝盐可采用硝酸铝、硫酸铝、氯化铝、氟化铝等,也可采用将Al2O3在加热搅拌下溶解于酸中所得。
(3)形成可溶性镁盐的溶液,所述溶液浓度在0.1~2mol/L。所述可溶性镁盐可采用硝酸镁、硫酸镁、氯化镁、氟化镁等,也可采用将MgO在加热搅拌下溶解于酸中所得。
(4)形成可溶性的柠檬酸溶液,柠檬酸的浓度为1~1.5摩尔/升;
(5)按化学式ScAlMgO4配比上述钪盐、铝盐、镁盐溶液,然后加入步骤(4)溶液或者直接加入固体,搅拌均匀,反应沉淀物经分离、洗涤、干燥后,得到白色、黄色或红棕色前驱体;
(6)将步骤(5)得到的前驱体在550℃-1100℃温度下煅烧,即得到所需的纳米粉体。根据不同煅烧温度下的粉末XRD表征,发现其晶化温度在800-900℃之间。
本发明的制备方法,其突出优点在于:制备技术简单,设备要求不高,成本低廉,产物纯度高,不含任何杂相,制备的粉体颗粒小且具有纳米晶形貌。
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