[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，该半导体器件具有形成在半导体衬底上的半 导体元件和设置在上述半导体元件周围的外围构造，其特征在于，上 述外围构造具备：

形成在该外围构造的外围部分上且与上述半导体衬底电连接的 第1电极；

形成在上述半导体元件的形成区与上述第1电极之间的上述半导 体衬底上的绝缘膜；

形成在上述绝缘膜上且连接于上述第1电极与配置在上述半导体 元件中的上述半导体衬底上最外侧的第2电极之间的多级反向连接二 极管；和

在上述绝缘膜下方的上述半导体衬底中形成为包围上述半导体 元件的保护环，

其中，在上述多级反向连接二极管中，以上述多级反向连接二极 管中的pn结不位于上述保护环的上方的方式，在一个上述保护环的 上方仅配置单一导电类型的区域。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：

在上述多级反向连接二极管中，上述保护环上方的上述单一导电 类型的区域的长度比上述保护环的宽度长，

上述单一导电类型的区域从上述保护环的上方朝着面向上述第1 电极的方向突出。