[发明专利]半导体器件和操作半导体器件的方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

存储器单元，所述存储器单元被构造为被连接至第一位线并且存储数据；

预充电电路，所述预充电电路被构造为被连接至所述第一位线和第二位线并且将所述第一位线和所述第二位线预充电到接地电势；

负电势施加电路，所述负电势施加电路被构造为被连接至所述第一位线并且将负电势施加给所述第一位线；以及

传感放大器，所述传感放大器被构造为被连接至所述第一位线和所述第二位线并且基于所述第一位线的第一电势和所述第二位线的第二电势之间的差读取数据，

其中所述负电势的绝对值小于所述第一电势和所述第二电势之间的所述差。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述绝对值近似等于当其中积累有电荷的所述存储器单元被连接至所述第一位线时所述第一电势的电势变化的一半。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中当执行读取操作时，

所述预充电电路将所述第一位线和所述第二位线预充电到所述接地电势，

所述负电势施加电路将所述负电势施加给所述第一位线，并且

当通过被连接至所述第一位线的所述存储器单元改变所述第一电势时，所述传感放大器基于所述改变的第一电势和所述第二电势之间的差读取所述数据。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述存储器单元包括：

单元电容器，所述单元电容器被构造为积累与所述数据相对应的电荷，和

单元晶体管，所述单元晶体管被构造为在栅极处被连接至选择所述存储器单元的第一字线、在源极/漏极区域中的一个处连接到所述单元电容器、以及在源极/漏极区域中的另一个处连接到所述第一位线，

其中所述负电势施加电路包括：

负电势电容器，所述负电势电容器被构造为在一端被连接至第二字线，并且在另一端被连接至所述第一位线，和

电势生成电路，所述电势生成电路被构造为通过所述第二字线充电所述负电势电容器。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中所述负电势电容器的电容是所述单元电容器的电容的近似一半，并且

其中所述电势生成电路将与被提供给所述传感放大器的电源电压相同的电压施加给所述负电势电容器。

6.根据权利要求4所述的半导体器件，其中所述负电势电容器的电容近似等于所述单元电容器的电容，并且

其中所述电势生成电路将是被提供给所述传感放大器的电源电压的一半的电压施加给所述负电势电容器。

7.根据权利要求4所述的半导体器件，其中被连接至所述第一位线的所述负电势电容器的数目小于被连接至所述第一位线的所述存储器单元的数目。

8.根据权利要求4所述的半导体器件，进一步包括：

字线控制电路，所述字线控制电路被构造为将电势提供给所述第一字线，

其中所述字线控制电路在第一字线电势梯度进行所述第一字线的电势从未选择的电势到选择的电势的转变，并且

其中所述电势生成电路在与所述第一字线电势梯度相反的第二字线电势梯度进行所述第二字线的电势的转变。

9.根据权利要求2所述的半导体器件，其中当执行读取操作时，

所述预充电电路将所述第一位线和所述第二位线预充电到所述接地电势，

所述负电势施加电路将所述负电势施加给所述第一位线，并且

当通过被连接至所述第一位线的所述存储器单元改变所述第一电势时，所述传感放大器基于所述改变的第一电势和所述第二电势之间的差读取所述数据。

10.根据权利要求9所述的半导体器件，其中所述存储器单元包括：

单元电容器，所述单元电容器被构造为积累与所述数据相对应的电荷，和

单元晶体管，所述单元晶体管被构造为在栅极处被连接至选择所述存储器单元的第一字线、在源极/漏极区域中的一个处连接至所述单元电容器、以及在源极/漏极区域中的另一个处连接至所述第一位线，

其中所述负电势施加电路包括：

负电势电容器，所述负电势电容器被构造为在一端被连接至第二字线，并且在另一端连接到所述第一位线，和

电势生成电路，所述电势生成电路被构造为通过所述第二字线充电所述负电势电容器。