[发明专利]半导体装置、其制造方法及使用其的固态图像拾取装置

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

经过栅绝缘膜在半导体基板上形成的栅极电极；

在所述半导体基板中在所述栅极电极的源极侧形成的扩展区；

经过所述扩展区在所述半导体基板中在所述栅极电极的源极侧形成的源极区；

在所述半导体基板中在所述栅极电极的漏极侧形成的轻度掺杂漏极区；以及

经过所述轻度掺杂漏极区在所述半导体基板中在所述栅极电极的漏极侧形成的漏极区；

其中以比所述轻度掺杂漏极区的浓度高的浓度形成所述扩展区，以使所述扩展区比所述轻度掺杂漏极区浅。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中位于所述半导体基板的源极侧的沟道区的杂质浓度高于位于所述半导体基板的漏极侧的沟道区的杂质浓度。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括：

袋状扩散层，包括

位于所述半导体基板的源极侧的沟道区，

所述扩展区，以及

所述源极区，

所述袋状扩散层的杂质浓度高于位于所述半导体基板的漏极侧的沟道区的杂质浓度。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述半导体装置是负沟道金属氧化物半导体晶体管，所述扩展区是通过砷的扩散而获得的，以及所述轻度掺杂漏极区是通过磷的扩散而获得的。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述半导体装置是负沟道金属氧化物半导体晶体管，以及所述沟道区是通过铟的扩散而获得的。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述半导体装置是负沟道金属氧化物半导体晶体管，以及所述袋状扩散层是通过铟的扩散而获得的。

7.一种制造半导体装置的方法，包括以下步骤：

经过栅绝缘膜在半导体基板上形成栅极电极；

在所述半导体基板中在所述栅极电极的漏极侧形成轻度掺杂漏极区；

在所述半导体基板中在所述栅极电极的源极侧形成扩展区；

经过所述扩展区在所述半导体基板中在所述栅极电极的源极侧形成源极区，并且经过所述轻度掺杂漏极区在所述半导体基板中在所述栅极电极的漏极侧形成漏极区；以及

以比所述轻度掺杂漏极区的浓度高的浓度形成所述扩展区，以使所述扩展区比所述轻度掺杂漏极区浅。

8.根据权利要求7的制造半导体装置的方法，其中在形成所述栅极电极的步骤之前，对所述半导体基板的源极侧执行沟道离子注入，以及使得源极侧的沟道区的杂质浓度高于漏极侧的沟道区的杂质浓度。

9.根据权利要求7的制造半导体装置的方法，其中在形成所述扩展区的步骤之后，对所述半导体基板的源极侧执行袋状离子注入，以及使得源极侧的沟道区的杂质浓度高于漏极侧的沟道区的杂质浓度。

10.一种固态图像拾取装置，包括：

光电转换部件，用于对入射光进行光电转换，从而获得信号电荷；和

源随器电路，用于将从所述光电转换部件读出的信号电荷转换成电压，从而输出所得电压；

所述源随器电路的至少一个晶体管包括

经过栅绝缘膜在半导体基板上形成的栅极电极；

在所述半导体基板中在所述栅极电极的源极侧形成的扩展区；

经过所述扩展区在所述半导体基板中在所述栅极电极的源极侧形成的源极区；

在所述半导体基板中在所述栅极电极的漏极侧形成的轻度掺杂漏极区；以及

经过所述轻度掺杂漏极区在所述半导体基板中在所述栅极电极的漏极侧形成的漏极区；

其中以比所述轻度掺杂漏极区的浓度高的浓度形成所述扩展区，以使所述扩展区比所述轻度掺杂漏极区浅。