[发明专利]薄膜太阳能电池修复方法和设备

权利要求书

1.一种用于修复薄膜太阳能电池的方法，其中包括如下步骤：

对待修复的薄膜太阳能电池中的一个光电转换层两侧施加反向偏压；

对施加反向偏压的薄膜太阳能电池进行红外成像；

识别和定位所述红外成像中的高温区域；以及

清除或隔离所述识别和定位的高温区域。

2.根据权利要求1所述的方法，其中还包括如下步骤：

检测修复后的薄膜太阳能电池，判断是否需要再次执行所述修复方法。

3.根据权利要求2所述的方法，其中所述检测修复后的薄膜太阳能电池的步骤包括如下步骤：

对所述修复后的薄膜太阳能电池中的一个光电转换层施加反向偏压；

检测反向漏电流；

判断所述反向漏电流是否大于预定阈值，如果大于预定阈值则确定需要执行再次修复，否则结束修复操作。

4.根据权利要求2所述的方法，其中所述检测修复后的薄膜太阳能电池的步骤包括如下步骤：

对经过修复后的薄膜太阳能电池中的一个光电转换层两侧施加反向偏压；

对施加反向偏压的薄膜太阳能电池进行红外成像；

判断所述红外成像中是否存在高温区域，如果存在高温区域则确定需要执行再次修复，否则结束修复操作。

5.根据权利要求1-4中的任何一项所述的方法，其中所述反向偏压为-0.1V至-3.0V。

6.根据权利要求1-4中的任何一项所述的方法，其中所述清除或隔离所述识别和定位的高温区域的步骤包括通过在所述高温区域周围划开连续闭合的沟槽，使得所述高温区域与所述薄膜太阳能电池的其他区域相绝缘。

7.根据权利要求6所述的方法，其中使用激光划线装置或机械划线装置来执行所述清除或隔离所述识别和定位的高温区域的步骤。

8.根据权利要求1-4中的任何一项所述的方法，其中通过识别所述红外成像中的色阶或灰度来确定红外成像中的高温区域。

9.根据权利要求1-4中的任何一项所述的方法，其中所述薄膜太阳能电池为非晶硅电池、碲化镉电池或铜铟镓硒电池。

10.根据权利要求1-4中的任何一项所述的方法，其中所述薄膜太阳能电池为单结薄膜太阳能电池或多结薄膜太阳能电池。

11.一种用于修复大面积发光二极管的漏电流缺陷的方法，其中利用权利要求1-10中的任何一项所述的方法执行所述修复。

12.一种用于修复薄膜太阳能电池的设备，其中包括如下装置：

电压源(201)，用于对待修复的薄膜太阳能电池中的一个光电转换层两侧施加反向偏压；

红外成像装置(202)，用于对施加反向偏压的薄膜太阳能电池进行红外成像；

图像分析装置(203)，用于识别和定位所述红外成像中的高温区域；

存储装置(204)，用于存储所述识别和定位的高温区域的位置；以及

清除或隔离装置(205)，用于清除或隔离所述识别和定位的高温区域。

13.根据权利要求12所述的设备，其中还包括如下装置：

检测装置(206)，用于检测修复后的薄膜太阳能电池，判断是否需要再次执行所述修复。

14.根据权利要求13所述的设备，其中所述检测装置(206)通过检测对所述修复后的薄膜太阳能电池中的一个光电转换层施加反向偏压时的反向漏电流的大小，来确定是否需要执行再次修复。

15.根据权利要求12所述的设备，其中经过一次修复后，所述电压源(201)对经过修复后的薄膜太阳能电池中的一个光电转换层两侧施加反向偏压；所述红外成像装置(202)对施加反向偏压的薄膜太阳能电池进行红外成像；所述图像分析装置(203)判断所述红外成像中是否存在高温区域，如果存在高温区域则确定需要执行再次修复，否则结束修复操作。

16.根据权利要求12-15中的任何一项所述的设备，其中所述电压源(201)的反向偏压为-0.1V至-3.0V。

17.根据权利要求12-15中的任何一项所述的设备，其中所述清除或隔离装置(205)通过在所述高温区域周围划开连续闭合的沟槽，使得所述高温区域与所述薄膜太阳能电池的其他区域相绝缘。