[发明专利]低压降电压调节器及其方法

权利要求书

1.一种低压降电压调节器(300)，包括：

误差放大器(306)，其具有第一输入端子和第二输入端子、用 于接收输入电压的电源端子以及用于提供已调输出电压的输出端子；

分压器(308)，其用于提供作为所述已调输出电压的预定部分 的反馈电压；以及

放大器电路(304)，其具有用于接收所述反馈电压的输入、用 于向所述误差放大器(306)的所述第一输入端子提供与所述反馈电 压的变化成相反变化的第一电压的第一输出以及向所述误差放大器 (306)的所述第二输入端子提供第二电压的第二输出，所述第二电 压与所述第一电压对温度变化的量基本上相同。

2.如权利要求1所述的低压降电压调节器(300)，其中所述 误差放大器(306)的特征在于是具有MOS输入差动级的误差放大器。

3.如权利要求1所述的低压降电压调节器(300)，其中所述 放大器电路(304)的特征在于是参考电压/放大器电路，其中所述第 二电压的特征在于是参考电压。

4.如权利要求3所述的低压降电压调节器(300)，其中所述 放大器电路(304)包括：

第一电阻器(408)，其具有用于接收参考电压的第一端子和耦 合到所述误差放大器(306)的所述第一输入端子的第二端子；

第二电阻器(410)，其具有用于接收所述参考电压的第一端子 和耦合到所述误差放大器(306)的所述第二输入端子的第二端子；

耗尽型MOS晶体管(412)，其具有耦合到所述第一电阻器(408) 的所述第二端子的第一电流电极、耦合到电源电压端子的栅极和耦合 到所述电源电压端子的第二电流电极；以及

增强型MOS晶体管(414)，其具有耦合到所述第二电阻器(410) 的所述第二端子的第一电流电极、用于接收所述反馈电压的栅极和耦 合到所述电源电压端子的第二电流电极。

5.如权利要求1所述的低压降电压调节器(300)，其进一步 包括：

电压参考电路(302)，其具有用于提供参考电压的输出；

所述电压参考电路(302)包括：

第一耗尽型MOS晶体管(402)，其具有用于接收所述输入电 压的第一电流电极、栅极和耦合到所述栅极的第二电流电极；

增强型MOS晶体管(404)，其具有耦合到所述第一耗尽型MOS 晶体管(402)的所述第二电流电极的第一电流电极、耦合到所述第 一耗尽型MOS晶体管(402)的所述第二电流电极的栅极和耦合到电 源电压端子的第二电流电极；以及

第二耗尽型MOS晶体管(406)，其具有用于接收所述输入电 压的第一电流电极、耦合到所述第一耗尽型MOS晶体管(402)的所 述第二电流电极的栅极和用于提供所述参考电压的第二电流电极；

负载(310)，其具有用于接收所述已调输出电压的输入端子。

6.一种用于在提供已调输出电压的低压降电压调节器(300) 中使用的方法，所述方法包括如下步骤：

对所述已调输出电压进行分压以提供反馈电压；

传导参考电流通过第一电路元件(412)；

基于所述参考电流使用第一电阻器(408)形成第一电压；

响应于所述反馈电压而传导可变电流通过第二电路元件(414)；

基于所述可变电流使用第二电阻器(410)形成第二电压；以及

响应于输入电压和所述第一电压与所述第二电压之间的差值来 提供所述已调输出电压。

7.如权利要求6所述的方法，其中传导所述参考电流的所述步 骤包括：传导所述参考电流通过耗尽型MOS晶体管(412)。

8.如权利要求6所述的方法，其中传导所述可变电流的所述步 骤包括：传导所述可变电流通过增强型MOS晶体管(414)。

9.如权利要求6所述的方法，其中提供所述已调输出电压的所 述步骤包括：从具有MOS输入差动级的误差放大器(306)提供所述 已调输出电压。

10.如权利要求6所述的方法，其中提供所述已调输出电压的所 述步骤包括：从具有双极型输入差动级的误差放大器(306)提供所 述已调输出电压。