[发明专利]氧化物半导体、薄膜晶体管以及显示装置

权利要求书

1.一种氧化物半导体，包括：

作为成分的In、Ga和Zn，

其中该氧化物半导体还包含氢。

2.根据权利要求1的氧化物半导体，其中包含大于或等于15.0原子％且小于或等于20.0原子％的浓度的In和Ga中的每一个，以及包含大于或等于5.0原子％且小于或等于10.0原子％浓度的Zn。

3.一种氧化物半导体，

其中该氧化物半导体由InMO₃(ZnO)_n表示(M是选自Ga、Fe、Ni、Mn、Co和Al构成的组中的一种或多种元素，以及n是大于或等于1且小于50的非整数)，并且还包含氢。

4.根据权利要求3的氧化物半导体，其中Zn的浓度低于In的浓度和M的浓度(M是选自由Ga、Fe、Ni、Mn、Co和Al构成的组中的一种或多种元素)。

5.一种氧化物半导体，

其中该氧化物半导体是包含In、Ga和Zn的氧化物，其中In原子对Ga和Zn原子的比率是1∶1∶x(x＜10)，并且该氧化物半导体还包含氢。

6.一种氧化物半导体，

其中该氧化物半导体由InMO₃(ZnO)_m表示(M是选自Ga、Fe、Ni、Mn、Co和Al构成的组中的一种或多种元件，以及m是大于或等于1且小于50的整数)，并且还包含氢。

7.根据权利要求1、3、5和6中任一项的氧化物半导体，其中该氧化物半导体具有非晶结构。

8.一种薄膜晶体管，包括：

作为沟道形成区的氧化物半导体，

该氧化物半导体包括：

作为成分的In、Ga和Zn；以及

氢。

9.根据权利要求8的薄膜晶体管，其中包含大于或等于15.0原子％且小于或等于20.0原子％的浓度的In和Ga中每一个，以及包含大于或等于5.0原子％且小于或等于10.0原子％浓度的Zn。

10.一种薄膜晶体管，包括：

作为沟道形成区的氧化物半导体，

其中该氧化物半导体是由InMO₃(ZnO)_n(M是选自由Ga、Fe、Ni、Mn、Co和Al构成的组中的一种或多种元素，以及n是大于或等于1且小于50的非整数)表示的并且还包含氢的氧化物半导体。

11.根据权利要求10的薄膜晶体管，其中Zn的浓度低于In的浓度和M的浓度(M是选自由Ga、Fe、Ni、Mn、Co和Al构成的组中的一种或多种元素)。

12.一种薄膜晶体管，包括：

作为沟道形成区的氧化物半导体，

其中该氧化物半导体是包含In、Ga和Zn的氧化物，其中In原子对Ga和Zn原子的比率是1∶1∶x(x＜10)，并且该氧化物半导体还包含氢。

13.一种薄膜晶体管，包括：

作为沟道形成区的氧化物半导体，

其中该氧化物半导体由InMO₃(ZnO)_m表示(M是选自Ga、Fe、Ni、Mn、Co和Al构成的组中的一种或多种元件，以及m是大于或等于1且小于50的整数)，以及还包含氢。

14.根据权利要求8、10、12和13中任一项的薄膜晶体管，其中该氧化物半导体具有非晶结构。

15.根据权利要求8、10、12和13中任一项的薄膜晶体管，其中与该氧化物半导体接触地设置含氢的氧化物绝缘层。

16.根据权利要求8、10、12和13中任一项的薄膜晶体管，其中在该氧化物半导体的上下侧中的每一个上设置氧化物绝缘层。

17.根据权利要求8、10、12和13中任一项的薄膜晶体管，其中在该氧化物半导体上设置氮化物绝缘层。

18.根据权利要求8、10、12和13中任一项的薄膜晶体管，其中在该氧化物半导体下面设置氮化物绝缘层。

19.根据权利要求8、10、12和13中任一项的薄膜晶体管，其中该薄膜晶体管被设置在至少一个像素中。

20.根据权利要求19的薄膜晶体管，其中该薄膜晶体管被设置在驱动器电路中，该驱动器电路用于控制要被传输到像素中设置的薄膜晶体管的信号。