[发明专利]氧化物半导体、薄膜晶体管以及显示装置在审
申请号: | 200910207023.9 | 申请日: | 2009-10-23 |
公开(公告)号: | CN101728425A | 公开(公告)日: | 2010-06-09 |
发明(设计)人: | 山崎舜平;佐佐木俊成;细羽幸;伊藤俊一;坂田淳一郎 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | H01L29/24 | 分类号: | H01L29/24;H01L29/04;H01L29/786;H01L27/02 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 刘倜 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 氧化物 半导体 薄膜晶体管 以及 显示装置 | ||
1.一种氧化物半导体,包括:
作为成分的In、Ga和Zn,
其中该氧化物半导体还包含氢。
2.根据权利要求1的氧化物半导体,其中包含大于或等于15.0原子%且小于或等于20.0原子%的浓度的In和Ga中的每一个,以及包含大于或等于5.0原子%且小于或等于10.0原子%浓度的Zn。
3.一种氧化物半导体,
其中该氧化物半导体由InMO3(ZnO)n表示(M是选自Ga、Fe、Ni、Mn、Co和Al构成的组中的一种或多种元素,以及n是大于或等于1且小于50的非整数),并且还包含氢。
4.根据权利要求3的氧化物半导体,其中Zn的浓度低于In的浓度和M的浓度(M是选自由Ga、Fe、Ni、Mn、Co和Al构成的组中的一种或多种元素)。
5.一种氧化物半导体,
其中该氧化物半导体是包含In、Ga和Zn的氧化物,其中In原子对Ga和Zn原子的比率是1∶1∶x(x<10),并且该氧化物半导体还包含氢。
6.一种氧化物半导体,
其中该氧化物半导体由InMO3(ZnO)m表示(M是选自Ga、Fe、Ni、Mn、Co和Al构成的组中的一种或多种元件,以及m是大于或等于1且小于50的整数),并且还包含氢。
7.根据权利要求1、3、5和6中任一项的氧化物半导体,其中该氧化物半导体具有非晶结构。
8.一种薄膜晶体管,包括:
作为沟道形成区的氧化物半导体,
该氧化物半导体包括:
作为成分的In、Ga和Zn;以及
氢。
9.根据权利要求8的薄膜晶体管,其中包含大于或等于15.0原子%且小于或等于20.0原子%的浓度的In和Ga中每一个,以及包含大于或等于5.0原子%且小于或等于10.0原子%浓度的Zn。
10.一种薄膜晶体管,包括:
作为沟道形成区的氧化物半导体,
其中该氧化物半导体是由InMO3(ZnO)n(M是选自由Ga、Fe、Ni、Mn、Co和Al构成的组中的一种或多种元素,以及n是大于或等于1且小于50的非整数)表示的并且还包含氢的氧化物半导体。
11.根据权利要求10的薄膜晶体管,其中Zn的浓度低于In的浓度和M的浓度(M是选自由Ga、Fe、Ni、Mn、Co和Al构成的组中的一种或多种元素)。
12.一种薄膜晶体管,包括:
作为沟道形成区的氧化物半导体,
其中该氧化物半导体是包含In、Ga和Zn的氧化物,其中In原子对Ga和Zn原子的比率是1∶1∶x(x<10),并且该氧化物半导体还包含氢。
13.一种薄膜晶体管,包括:
作为沟道形成区的氧化物半导体,
其中该氧化物半导体由InMO3(ZnO)m表示(M是选自Ga、Fe、Ni、Mn、Co和Al构成的组中的一种或多种元件,以及m是大于或等于1且小于50的整数),以及还包含氢。
14.根据权利要求8、10、12和13中任一项的薄膜晶体管,其中该氧化物半导体具有非晶结构。
15.根据权利要求8、10、12和13中任一项的薄膜晶体管,其中与该氧化物半导体接触地设置含氢的氧化物绝缘层。
16.根据权利要求8、10、12和13中任一项的薄膜晶体管,其中在该氧化物半导体的上下侧中的每一个上设置氧化物绝缘层。
17.根据权利要求8、10、12和13中任一项的薄膜晶体管,其中在该氧化物半导体上设置氮化物绝缘层。
18.根据权利要求8、10、12和13中任一项的薄膜晶体管,其中在该氧化物半导体下面设置氮化物绝缘层。
19.根据权利要求8、10、12和13中任一项的薄膜晶体管,其中该薄膜晶体管被设置在至少一个像素中。
20.根据权利要求19的薄膜晶体管,其中该薄膜晶体管被设置在驱动器电路中,该驱动器电路用于控制要被传输到像素中设置的薄膜晶体管的信号。
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