[发明专利]氧化物半导体、薄膜晶体管以及显示装置在审

专利信息
申请号: 200910207023.9 申请日: 2009-10-23
公开(公告)号: CN101728425A 公开(公告)日: 2010-06-09
发明(设计)人: 山崎舜平;佐佐木俊成;细羽幸;伊藤俊一;坂田淳一郎 申请(专利权)人: 株式会社半导体能源研究所
主分类号: H01L29/24 分类号: H01L29/24;H01L29/04;H01L29/786;H01L27/02
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人: 刘倜
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 氧化物 半导体 薄膜晶体管 以及 显示装置
【权利要求书】:

1.一种氧化物半导体,包括:

作为成分的In、Ga和Zn,

其中该氧化物半导体还包含氢。

2.根据权利要求1的氧化物半导体,其中包含大于或等于15.0原子%且小于或等于20.0原子%的浓度的In和Ga中的每一个,以及包含大于或等于5.0原子%且小于或等于10.0原子%浓度的Zn。

3.一种氧化物半导体,

其中该氧化物半导体由InMO3(ZnO)n表示(M是选自Ga、Fe、Ni、Mn、Co和Al构成的组中的一种或多种元素,以及n是大于或等于1且小于50的非整数),并且还包含氢。

4.根据权利要求3的氧化物半导体,其中Zn的浓度低于In的浓度和M的浓度(M是选自由Ga、Fe、Ni、Mn、Co和Al构成的组中的一种或多种元素)。

5.一种氧化物半导体,

其中该氧化物半导体是包含In、Ga和Zn的氧化物,其中In原子对Ga和Zn原子的比率是1∶1∶x(x<10),并且该氧化物半导体还包含氢。

6.一种氧化物半导体,

其中该氧化物半导体由InMO3(ZnO)m表示(M是选自Ga、Fe、Ni、Mn、Co和Al构成的组中的一种或多种元件,以及m是大于或等于1且小于50的整数),并且还包含氢。

7.根据权利要求1、3、5和6中任一项的氧化物半导体,其中该氧化物半导体具有非晶结构。

8.一种薄膜晶体管,包括:

作为沟道形成区的氧化物半导体,

该氧化物半导体包括:

作为成分的In、Ga和Zn;以及

氢。

9.根据权利要求8的薄膜晶体管,其中包含大于或等于15.0原子%且小于或等于20.0原子%的浓度的In和Ga中每一个,以及包含大于或等于5.0原子%且小于或等于10.0原子%浓度的Zn。

10.一种薄膜晶体管,包括:

作为沟道形成区的氧化物半导体,

其中该氧化物半导体是由InMO3(ZnO)n(M是选自由Ga、Fe、Ni、Mn、Co和Al构成的组中的一种或多种元素,以及n是大于或等于1且小于50的非整数)表示的并且还包含氢的氧化物半导体。

11.根据权利要求10的薄膜晶体管,其中Zn的浓度低于In的浓度和M的浓度(M是选自由Ga、Fe、Ni、Mn、Co和Al构成的组中的一种或多种元素)。

12.一种薄膜晶体管,包括:

作为沟道形成区的氧化物半导体,

其中该氧化物半导体是包含In、Ga和Zn的氧化物,其中In原子对Ga和Zn原子的比率是1∶1∶x(x<10),并且该氧化物半导体还包含氢。

13.一种薄膜晶体管,包括:

作为沟道形成区的氧化物半导体,

其中该氧化物半导体由InMO3(ZnO)m表示(M是选自Ga、Fe、Ni、Mn、Co和Al构成的组中的一种或多种元件,以及m是大于或等于1且小于50的整数),以及还包含氢。

14.根据权利要求8、10、12和13中任一项的薄膜晶体管,其中该氧化物半导体具有非晶结构。

15.根据权利要求8、10、12和13中任一项的薄膜晶体管,其中与该氧化物半导体接触地设置含氢的氧化物绝缘层。

16.根据权利要求8、10、12和13中任一项的薄膜晶体管,其中在该氧化物半导体的上下侧中的每一个上设置氧化物绝缘层。

17.根据权利要求8、10、12和13中任一项的薄膜晶体管,其中在该氧化物半导体上设置氮化物绝缘层。

18.根据权利要求8、10、12和13中任一项的薄膜晶体管,其中在该氧化物半导体下面设置氮化物绝缘层。

19.根据权利要求8、10、12和13中任一项的薄膜晶体管,其中该薄膜晶体管被设置在至少一个像素中。

20.根据权利要求19的薄膜晶体管,其中该薄膜晶体管被设置在驱动器电路中,该驱动器电路用于控制要被传输到像素中设置的薄膜晶体管的信号。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社半导体能源研究所,未经株式会社半导体能源研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200910207023.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top