[发明专利]基板清洗方法及装置无效
申请号: | 200910207039.X | 申请日: | 2009-10-27 |
公开(公告)号: | CN101728243A | 公开(公告)日: | 2010-06-09 |
发明(设计)人: | 松井英章;守屋刚 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;B08B7/00 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 清洗 方法 装置 | ||
1.一种基板清洗方法,其用于清洗、除去附着在基板表面的异物,其特征在于,包括:
加热所述基板通过热应力使附着在基板表面的异物从基板表面剥离的加热步骤;
通过所述基板表面附近产生的温度梯度使所述异物从所述基板表面脱离的脱离步骤;和
通过与所述基板相对配置的异物捕集部捕集从所述基板表面脱离的异物的异物捕集步骤。
2.如权利要求1所述的基板清洗方法,其特征在于:
所述加热步骤和所述异物捕集步骤中的包围所述基板的气氛压力为1.3×102Pa(1Torr)~6.6kPa(50Torr)。
3.如权利要求1或2所述的基板清洗方法,其特征在于:
在所述加热步骤中,并用向所述基板表面传递超声波使所述基板表面振动的振动步骤。
4.如权利要求1或2所述的基板清洗方法,其特征在于:
在所述加热步骤中,并用向所述基板表面照射光而通过该光的热振动或能量振动使附着在所述基板表面的颗粒振动的光照射步骤。
5.如权利要求4所述的基板清洗方法,其特征在于:
作为照射所述光的光照射装置,应用扫描型近场光学显微镜(SNOM)。
6.如权利要求1或2所述的基板清洗方法,其特征在于:
作为所述异物捕集部,应用冷却板,通过由所述基板与所述冷却板间的温度梯度产生的热泳力捕集所述异物。
7.如权利要求1或2所述的基板清洗方法,其特征在于:
作为所述异物捕集部,应用带电板,使该带电板与所述基板表面带异性电。
8.如权利要求1或2所述的基板清洗方法,其特征在于:
将所述基板的清洗面铅垂朝向下方,进行所述加热步骤及所述异物捕集步骤。
9.如权利要求1所述的基板清洗方法,其特征在于:
具有在清洗所述基板表面之后,除去附着在所述异物捕集部的异物的捕集部清洗步骤。
10.如权利要求1所述的基板清洗方法,其特征在于:
具有在清洗所述基板表面之后,除去附着在所述基板背面的异物的背面清洗步骤。
11.如权利要求9或10所述的基板清洗方法,其特征在于:
所述捕集部清洗步骤和所述背面清洗步骤分别是,对被清洗面吹附气雾剂剥离异物的方法或是粘贴异物吸附片之后再剥离的方法。
12.一种异物清洗装置,其用于清洗、除去附着在基板表面的异物,其特征在于,包括:
载置所述基板的载置台;
加热载置在该载置台上的基板,通过热应力使附着在基板表面的异物从基板表面剥离,并通过热泳力使异物脱离的加热部;和
与所述载置台相对配置,捕集从所述基板表面脱离的异物的异物捕集部。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造