[发明专利]用于相变存储器存储单元的低应力多级读取的方法和多级相变存储器设备

权利要求书

1.一种用于相变存储器存储单元的多级读取的方法，该方法包括：

选择位线和耦合到所选位线的相变存储器存储单元；

向所述所选位线施加第一偏压(V_BL、V₀₀)；

将响应于所述第一偏压(V_BL、V₀₀)而流过所述所选位线的第一读出电流(I_RD00)与第一基准电流(I₀₀)相比较，其中所述第一基准电流(I₀₀)使得当所选相变存储器存储单元处于复位状态时所述第一读出电流(I_RD00)与所述第一基准电流(I₀₀)处于第一关系，否则所述第一读出电流(I_RD00)与所述第一基准电流(I₀₀)处于第二关系；以及

基于将所述第一读出电流(I_RD00)与所述第一基准电流(I₀₀)相比较，确定所述所选相变存储器存储单元是否处于复位状态；

其特征在于如果所述所选相变存储器存储单元未处于复位状态，则向所述所选位线施加第二偏压(V_BL、V₀₁)，所述第二偏压(V_BL、V₀₁)大于所述第一偏压(V_BL、V₀₀)。

2.根据权利要求1所述的方法，该方法包括将响应于施加所述第二偏压(V_BL、V₀₁)而流过所述所选位线的第二读出电流(I_RD01)与第二基准电流(I₀₁)相比较，其中所述第二基准电流(I₀₁)使得当所述所选相变存储器存储单元处于第一中间结晶状态时所述第二读出电流(I_RD01)与所述第二基准电流(I₀₁)处于第一关系，否则所述第二读出电流(I_RD01)与所述第二基准电流(I₀₁)处于第二关系；以及

基于将所述第二读出电流(I_RD01)与所述第二基准电流(I₀₁)相比较，确定所述所选相变存储器存储单元是否处于所述第一中间结晶状态。

3.根据权利要求2所述的方法，该方法包括如果尚未确定所述所选相变存储器存储单元的编程状态，则向所述所选位线(9)施加另一偏压(V_BL、V₁₀)，所述另一偏压(V_BL、V₁₀)大于先前施加于所述所选位线的任何偏压(V_BL、V₀₀、V₀₁)；

将响应于施加所述另一偏压(V_BL、V₁₀)而流过所述所选位线的另一读出电流(I_RD10)与另一基准电流(I₁₀)相比较，其中所述另一基准电流(I₁₀)使得如果所述所选相变存储器存储单元处于另一中间结晶状态，则所述另一读出电流(I_RD10)与所述另一基准电流(I₁₀)处于第一关系，否则所述另一读出电流(I_RD10)与所述另一基准电流(I₁₀)处于第二关系；以及

基于将所述另一读出电流(I_RD10)与所述另一基准电流(I₁₀)相比较，确定所述所选相变存储器存储单元是否处于所述另一中间结晶状态。