[发明专利]抛光半导体晶片两面的方法

权利要求书

1.抛光半导体晶片两面的方法，其包括以下规定顺序的步骤：

a)在抛光垫上抛光半导体晶片的背面，所述抛光垫包含固定在抛光垫 中的研磨剂，在该抛光步骤期间在半导体晶片的背面和抛光垫之间引入不 含固体的抛光剂溶液；

b)在抛光垫上一次抛光半导体晶片的正面，所述抛光垫包含固定在抛 光垫中的研磨剂，在该抛光步骤期间在半导体晶片的正面和抛光垫之间引 入不含固体的抛光剂溶液；

c)通过在抛光垫上抛光半导体晶片的正面，由半导体晶片的正面除去 微粗糙和微损伤，在该抛光步骤期间在半导体晶片的正面和抛光垫之间引 入包含研磨剂的抛光剂溶液；

d)通过在抛光垫上抛光半导体晶片的正面，精整抛光半导体晶片的正 面，所述抛光垫不含固定在抛光垫中的研磨剂，在该抛光步骤期间在半导 体晶片的正面和抛光垫之间引入包含研磨剂的抛光剂溶液。

2.权利要求1的方法，其中步骤a)和b)的抛光剂溶液是水或以下化 合物的水溶液：碳酸钠(Na₂CO₃)、碳酸钾(K₂CO₃)、氢氧化钠(NaOH)、 氢氧化钾(KOH)、氢氧化铵(NH₄OH)、氢氧化四甲基铵(TMAH)或它 们的任何混合物。

3.权利要求2的方法，其中步骤a)和b)的抛光剂溶液的pH为10-12， 并且步骤a)和b)的抛光剂溶液中所述化合物的比例为0.01-10重量%。

4.权利要求1-3之一的方法，其中在步骤b)和c)之间在抛光垫上进 行另外的抛光步骤，所述抛光垫包含固定在抛光垫中的研磨剂，在该抛光 步骤期间在半导体晶片的正面和抛光垫之间引入包含研磨剂的抛光剂溶 液。

5.权利要求1-3之一的方法，其中步骤c)和d)的包含研磨剂的抛光 剂溶液中的研磨剂的比例为0.25-20重量%。

6.权利要求1-3之一的方法，其中步骤c)和d)的包含研磨剂的抛光 剂溶液中研磨剂的比例为0.25-1重量%。

7.权利要求6的方法，其中研磨剂平均颗粒尺寸为5-300nm。

8.权利要求7的方法，其中研磨剂平均颗粒尺寸为5-50nm。

9.权利要求1-3之一的方法，其中包含研磨剂的抛光剂溶液中的研磨 剂由元素铝、铈或硅的氧化物中的一种或多种构成。

10.权利要求9的方法，其中包含研磨剂的抛光剂溶液含有胶体分散硅 石。

11.权利要求1-3之一的方法，其中包含研磨剂的抛光剂溶液的pH在 9-11.5的范围内。

12.权利要求1-3之一的方法，其中包含研磨剂的抛光剂溶液的pH通 过选自以下的添加剂来调节：碳酸钠(Na₂CO₃)、碳酸钾(K₂CO₃)、氢氧 化钠(NaOH)、氢氧化钾(KOH)、氢氧化铵(NH₄OH)、氢氧化四甲基铵 (TMAH)或这些化合物的任何混合物。

13.权利要求1-3之一的方法，其中步骤a)和b)中所用的抛光垫包 含的研磨剂选自：元素铈、铝、硅或锆的氧化物的颗粒，或者氮化硅、氮 化硼和金刚石的颗粒。

14.权利要求1-3之一的方法，其中在步骤c)中使用不包含固定研磨 剂的抛光垫。

15.权利要求1-3之一的方法，其中在步骤c)中使用包含固定研磨剂 的抛光垫。

16.权利要求1-3之一的方法，其中半导体晶片是直径为300mm或以 上的硅晶片。