[发明专利]基片处理装置及为此使用的覆盖构件

说明书

技术领域

本发明涉及一种基片处理装置，更具体而言，涉及一种能够执行诸如蚀刻的基片处理的基片处理装置以及为此使用的覆盖构件。

背景技术

基片处理装置包括形成处理空间的处理室和安装在处理室中并构造成在其上固定基片的基片支撑板。该基片处理装置用于通过向处理空间施加电能并且同时将气体注入其中来蚀刻基片的表面或者在基片上执行沉积处理。

通过基片处理装置处理的基片可包括半导体晶片、LCD面板的玻璃基片、太阳能电池的基片等。

作为基片处理装置的一个实例，存在这样一种基片处理装置，即通过将太阳能电池的基片固定在基片支撑板上，接着将具有多个开口的覆盖构件布置在基片上方，用来在基片表面上形成微突起。

为了处理更大的基片和更大数量的基片，不仅需要更大的处理室，而且需要更大的基片支撑板和覆盖构件。

但是，传统的基片处理装置具有如下问题：

首先，当基片处理装置变得更大时，处理空间内部的真空压力增大。并且，由于真空压力增大，处理室的墙体可能会有增大的变形。

其次，当每个部件都变得更大时，每个部件的自重增加。这可导致每个部件具有增大的向下的变形量，增大的变形等。结果，基片处理装置的成品率可能降低，或者基片处理装置的制造成本可能增加。

发明内容

因此，本发明的目的是提供一种能够提升基片处理功能的基片处理装置及其覆盖构件，其中在其上直接或者通过托盘固定有多个基片的基片支撑板利用覆盖构件覆盖的状态下，当具有开口的该覆盖构件处理基片时，该基片处理装置通过防止覆盖构件向下变形，从而能够提升其基片处理功能。

本发明的另一个目的在于提供一种能够防止基片支撑板或托盘损坏的基片处理装置及其覆盖构件，其中在其上直接或者通过托盘固定有多个基片的基片支撑板利用覆盖构件覆盖的状态下，当具有开口的覆盖构件处理基片时，该基片处理装置能够通过首先接触安装在覆盖构件的底面上的向下变形阻止支柱，从而能够防止基片支撑板的损坏。

为了实现这些优点和其它优点以及根据本发明的目的，就像在此具体例示和概括说明的那样，提供了一种基片处理装置，包括：处理室，其形成处理空间；基片支撑板，其具有下部电极，并构造成在其上直接或者通过托盘固定一个或者更多个基片；覆盖构件，其具有沿向上和向下方向贯通地形成的多个开口，并构造成覆盖该基片；以及一个或者更多个向下变形阻止构件，其安装在该覆盖构件和该基片支撑板之间，用于维持该覆盖构件的底面与该基片支撑板之间的距离。

所述覆盖构件可包括具有多个开口的覆盖部分和至少一个支撑部分，所述支撑部分形成于所述覆盖部分的边缘，从而使所述覆盖部分与固定在所述托盘或者所述基片支撑板上的基片以预定距离间隔开。而且，所述向下变形阻止构件包括一个或者更多个墙体，所述墙体将所述覆盖部分与所述基片之间的空间分隔成多个部分。

所述墙体可以从覆盖部分的底面伸出，以便将所述覆盖部分与所述基片之间的所述空间分隔成多个部分。

所述覆盖构件可包括具有多个开口的覆盖部分和至少一个支撑部分，所述支撑部分形成于所述覆盖部分的边缘，从而使所述覆盖部分与固定在所述托盘或者所述基片支撑板上的基片以预定距离间隔开。而且，所述向下变形阻止构件可以实现为安装在覆盖构件与基片支撑板之间的一个或者更多个向下变形阻止支柱。

多个所述向下变形阻止支柱可以安装在基于所述覆盖部分的阵点处。

所述向下变形阻止支柱可以安装在所述覆盖部分的中心部分。

所述向下变形阻止支柱的长度可以大于所述覆盖部分的底面在因自重而变形前到所述托盘或基片支撑板的上表面之间的距离。

所述向下变形阻止支柱的长度可以等于所述覆盖部分的底面在因自重而变形前到所述托盘或基片支撑板的上表面之间的距离。

所述向下变形阻止支柱的长度可以小于所述覆盖部分的底面在因自重而变形前到所述托盘或基片支撑板的上表面之间的距离。

所述向下变形阻止支柱可以具有对于因自重或者热变形而向下变形的所述覆盖部分的终止处而言足够长的长度，但其变形不穿过支撑部分的底面。

所述向下变形阻止支柱可以具有从所述覆盖部分的底面起算而且小于从所述覆盖部分的底面到所述支撑部分的底面之间的距离的长度。

所述向下变形阻止支柱可以具有使得在所述覆盖构件向下变形时，所述支撑部分能够首先接触所述覆盖构件的底面或者托盘的的上表面或者基片支撑板的上表面的长度。

所述向下变形阻止支柱可以构造成使得沿垂直方向的截面表面的一个端部可具有锥形或者曲线形的形状。