[发明专利]用于提供垂直磁记录磁头的方法和系统

权利要求书

1.一种在包括中间层的磁记录换能器中提供垂直磁记录磁极即 PMR磁极的方法，该方法包括：

在所述中间层上提供一掩模，所述掩模包括具有至少一个侧边的 线路；

在所述掩模上提供一硬掩模层，所述硬掩模层的一部分位于所述 至少一个侧边上；

去除位于所述至少一个侧边上的所述硬掩模层的所述部分的至少 一部分，所述线路的至少一部分被暴露出来；

去除所述线路，从而在对应于所述线路的所述硬掩模层中提供一 开孔；

在所述开孔下面的所述中间层中形成一沟槽，所述沟槽具有一个 底部和一个宽于所述底部的顶部；以及

提供一PMR磁极，所述PMR磁极的至少一部分位于所述沟槽中。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述线路包括光刻胶线路。

3.如权利要求2所述的方法，其中去除所述线路的步骤进一步包 括：

执行所述线路的剥离。

4.如权利要求1所述的方法，其中去除所述硬掩模层的所述部分 的所述至少一部分的步骤进一步包括：

以从所述磁记录换能器的表面的法线起的一个角度离子研磨所述 磁记录换能器。

5.如权利要求4所述的方法，其中所述角度是至少七十度且不超 过九十度。

6.如权利要求5所述的方法，其中所述角度是至少七十七度且不 超过八十三度。

7.如权利要求1所述的方法，其中形成所述沟槽的步骤进一步包 括：

执行至少一次反应离子蚀刻即RIE以去除所述中间层的一部分。

8.如权利要求7所述的方法，其进一步包括：

在所述中间层下面提供一RIE蚀刻终止层，所述RIE蚀刻终止层 的一部分形成所述沟槽的底部。

9.如权利要求1所述的方法，其进一步包括：

提供一无磁性层，所述无磁性层的至少一部分位于所述沟槽中， 所述PMR磁极位于所述无磁性层上。

10.如权利要求9所述的方法，其中提供所述无磁性层的步骤进一 步包括：

利用原子层淀积来提供氧化铝层；以及

在所述氧化铝层上提供籽晶层。

11.如权利要求9所述的方法，其中所述磁记录换能器包括一空气 轴承表面区域即ABS区域和一磁轭区域，并且其中提供所述沟槽的步 骤进一步包括：

提供在所述ABS区域中具有第一宽度和在所述磁轭区域中具有第 二宽度的所述沟槽，所述第一宽度小于所述第二宽度。

12.如权利要求11所述的方法，其中所述沟槽具有底部，并且其 中提供所述无磁性层的步骤进一步包括：

持续淀积所述无磁性层，以使在所述ABS区域中的沟槽底部上的 所述无磁性层的ABS部分比在所述磁轭区域中的沟槽底部上的所述无 磁性层的磁轭部分更厚。

13.如权利要求1所述的方法，其进一步包括：

在所述掩模下提供一底部抗反射涂层即BARC；以及

在提供所述硬掩模层的步骤之前向所述BARC转移所述线路，所 述BARC的剩余部分位于所述线路之下。

14.如权利要求13所述的方法，其进一步包括：

在去除所述线路之后，去除所述线路之下的所述BARC的所述剩 余部分。

15.如权利要求1所述的方法，其中所述PMR磁极的顶部具有不 超过二百纳米的宽度。

16.如权利要求15所述的方法，其中所述宽度不超过一百纳米。