[发明专利]抛光垫修整器

说明书

技术领域

本发明涉及修整器，尤其是有关CMP抛光垫的修整器及其制法。

背景技术

化学机械抛光(Chemical Mechanical Planarization，CMP)是目前半导体晶片表面平坦化的工艺中最受瞩目的技术。在化学机械抛光工艺中，抛光垫的功能是将抛光液稳定而均匀地输送至晶片与抛光垫之间，在化学蚀刻与机械磨削兩者相互作用下，将芯片上凸出的沉积层移除。

为了达到晶片加工量产的需求及维持质量的稳定性，必须利用钻石修整器(Diamond dresser)在化学机械抛光的过程中适时地对抛光垫进行修整，除了移除表面的抛光副产物，恢复抛光垫的粗糙面，改善其容纳浆料的能力，并恢复抛光垫表面的孔洞及其把持、运送抛光液的能力，如此可以节省抛光垫成本，并可达到晶片量产时质量稳定的需求。

有各种不同修整器的专利，例如中国台湾公开专利200707531揭示一种修整晶片研磨垫的修整器，包含：一基板，在该基板的上表面具有多个凹槽；固着材料，充填在该多个凹槽中；以及多个磨粒，该多个磨粒被该固着材料固着在该多个凹槽中。其中该多个凹槽依规则性排列，该多个凹槽的每一个凹槽尺寸仅能容纳一颗磨粒。此专利的每一凹槽仅容纳一颗磨粒，无法使每一凹槽视不同需要安排不同大小或不同数量的磨粒，以提升修整器的修整效率及使用寿命。

中国台湾专利I286097揭示一种研磨工具，包含有一基材、多个磨料颗粒簇及一结合剂层；多个磨料颗粒簇是以规则排列方式设置于该基材表面；该磨料颗粒簇为群聚的多个磨料颗粒，该磨料颗粒簇的相互间距在700μm以下，且每一该磨料颗粒簇包含有2-8个磨料颗粒；结合剂层使该磨料颗粒固着于该基材。此专利虽使2-8个磨料颗粒聚集为一磨料颗粒簇，但未揭示可视不同需要在基材的较外圈处，配置较小颗或较多颗磨料颗粒的磨料颗粒簇，而在基材的较内圈处配置较大颗或较小颗磨料颗粒的磨料颗粒簇，以提升修整器的修整效率及使用寿命。

发明内容

为了提升钻石切削工具的耐磨性及切削效率，而提出本发明。

本发明的主要目的，在提供一种抛光垫修整器，使多个别的磨粒簇被排列在一基板的工作面上，工作面上较外圈的磨粒簇含有较多颗或较小粒径的磨粒，而在工作面上较内圈的磨粒簇含有较少颗或粒径较大的磨粒，以提升修整器的耐磨性，提升切削效率及延长使用寿命。

本发明的抛光垫修整器，是作为CMP抛光垫的修整器，包括：

一基板，设有一工作面；

多个磨粒簇，分别结合该基板；该多个磨粒簇的切削端分别突出该工作面；该多个磨粒簇分别具有至少一个磨粒；

其中该多个磨粒簇的磨粒数量由该工作面的外圈向该工作面的中心处递减。

本发明的其它目的、功效，请参阅图式及实施例，详细说明如下。

附图说明

图1为本发明第一实施例的抛光垫修整器的示意图；

图2为图1的A-A剖面的示意图；

图3为本发明第二实施例的抛光垫修整器的示意图；

图4为图3的B-B剖面的示意图。

【主要元件符号说明】

1、2抛光垫修整器        11、21基板

110、210工作面          111外圈

112中心                 12、22磨粒簇

120、220切削端          121、221磨粒

13、23固定模具          131、231穿透孔

14、24结合剂

具体实施方式

如图1、图2所示，本发明第一实施例的抛光垫整修器1，尤其是作为CMP抛光垫的修整器，包括一基板11、多个磨粒簇12及一固定模具13所组成。

基板11设有一工作面110，固定模具13置于工作面110上。固定模具13设有对应于多个磨粒簇12的多个穿透孔131；多个穿透孔131分别容置多个磨粒簇12。多个磨粒簇12分别包含至少一颗磨粒121。多个磨粒簇12、固定模具13与基板11之间通过结合剂14固定结合；多个磨粒簇12的切削端120分别突出工作面110。

本实施例的多个穿透孔131具有相同或不同的孔径，多个磨粒簇12的磨粒121数量由工作面110的外圈111向其中心112处递减，但多个磨粒簇12的磨粒121的粒径由工作面110的外圈111向其中心112处递增。