[发明专利]等离子体处理装置及其构成部件

说明书

技术领域

本发明涉及等离子体处理装置及其构成部件，特别是涉及暴露于 等离子体的等离子体处理装置的构成部件。

背景技术

等离子体处理装置具备收容作为基板的晶片的收容室，从被导入 收容室内的处理气体生成等离子体，通过该等离子体对晶片实施所希 望的等离子体处理。在等离子体处理为干蚀刻处理的情况下，由于等 离子体和被蚀刻物质而产生反应生成物，该反应生成物作为沉积物堆 积在构成收容室的构成部件的表面等。

另一方面，在收容室内沿着暴露于等离子体的各构成部件的表面 70产生鞘层(sheath)71，经由该鞘层71向各构成部件的表面打入等 离子体中的离子72(图7(A))。利用该被打入的离子72溅射除去堆 积在各构成部件的表面的沉积物。通常，在各构成部件的表面，反应 生成物所产生的沉积物的堆积量，与由离子溅射所引起的沉积物的除 去量相等或少，因此几乎不会引起沉积物的堆积。

然而，近年来，为了实现晶片的等离子体处理的均匀化，要求对 收容室中的等离子体分布、特别是电子密度进行严密地控制，与此对 应，提出了在与晶片相对的上部电极设置突起、槽或台阶的方案(例 如参考专利文献1)。

专利文献1：日本专利申请2008-83046号说明书

但是，如图7(B)所示，在大致为直角的角部73设有的突起或 槽，产生沿该角部73弯曲的鞘层74，相对于该鞘层74大致垂直地打 出离子75，但从弯曲的鞘层74，离子75会被扩散地打出。其结果是， 与其他部分相比，在角部73，每单位面积打入的离子75的数量极少， 从而使由离子75的溅射所引起的沉积物的除去量减少，因此，存在在 角部73及其附近堆积沉积物76的情况。堆积后的沉积物76被剥离而 成为微粒，附着在晶片上而成为缺点(缺陷)。

发明内容

本发明的目的在于提供一种能够防止在角部堆积沉积物的等离子 体处理装置及其构成部件。

为了达成上述目的，本发明第一方面的等离子体处理装置的构成 部件，是利用等离子体对基板实施等离子体处理的等离子体处理装置 的构成部件，其暴露于上述等离子体，其特征在于，具有两个面交叉 而形成的角部，上述两个面的交叉角度是115°～180°中的任一角度。

本发明第二方面的等离子体处理装置的构成部件，其特征在于， 在第一方面的构成部件中，具有形成有上述角部的槽，该槽的宽度是 鞘层长度的2倍以上。

本发明第三方面的等离子体处理装置的构成部件，其特征在于， 在第二方面的构成部件中，上述构成部件是以与上述基板相对的方式 配置且被施加直流电压的电极，上述等离子体中的电子密度是2.0× 10¹⁰～10¹¹cm^-3，当被施加于上述电极的直流电压的值为300V以下时， 上述槽的宽度为8mm以上。

为了实现上述目的，本发明第四方面的等离子体处理装置，其利 用等离子体对基板实施等离子体处理，其特征在于：具备暴露于上述 等离子体的构成部件，上述构成部件具有两个面交叉而形成的角部， 上述两个面的交叉角度是115°～180°中的任一角度。

根据本发明第一方面的等离子体处理装置的构成部件和第四方面 的等离子体处理装置，暴露于等离子体的构成部件具有两个面交叉而 形成的角部，该两个面的交叉角度是115°～180°中的任一角度，因 此沿角部产生的鞘层的弯曲程度降低，由此，从该鞘层被打出的离子 的扩散程度也降低。其结果是，可防止在角部打入每单位面积的离子 数量极端减少，从而能够抑制由离子溅射所引起的沉积物的除去量减 少，因此，能够防止沉积物在角部堆积。

根据本发明第二方面的等离子体处理装置的构成部件，形成有角 部的槽的宽度是鞘层长度的2倍以上，因此，即使在槽的内部形成有 鞘层，沿槽的各侧面产生的鞘层也不会重叠，从而能够防止产生将离 子封入其中的空心部。其结果是，能够可靠地将离子从槽的内部的鞘 层朝向槽的各表面打入，从而能够防止沉积物堆积在包含角部的槽的 内部。