[发明专利]电路、控制方法及对于休眠模式和运行模式的电路应用

说明书

技术领域

本发明涉及一种电路、一种用于控制的方法以及一种对于休眠模式和运行模式的电路的应用。

背景技术

不同的电路实现了在至少一个休眠模式中以及在至少一个运行模式中的运行。在休眠模式中，电路的电流消耗比运行模式中小。为此，例如使用控制电路，所述控制电路可以激活数字电路或者禁用(deaktivieren)数字电路并且将数字电路转换到休眠模式中以及转换到运行模式中。如果电路需要执行一项功能，则将电路从休眠模式转换到对应于所述功能的运行模式中。

发明内容

本发明的任务在于，说明一种具有对于休眠模式而言尽可能改进的特性的电路。

所述任务通过具有独立权利要求1的特征的电路解决。有利的进一步构型是从属权利要求的主题并且包括在本说明书中。

因此，提出一种电路。优选地，电路被单片地集成在半导体芯片上。集成电路具有数字CMOS电路，所述数字CMOS电路具有NMOS场效应晶体管以及PMOS场效应晶体管。MOS场效应晶体管(MOS：金属氧化物半导体)具有源极、漏极、栅极以及也被称为本体(Bulk)的基体(池(Wanne)/衬底)。在此，NMOS场效应晶体管是n型导电类型，而PMOS场效应晶体管是p型导电类型。在数字CMOS电路中，NMOS场效应晶体管以及PMOS场效应晶体管被作为互补的类型使用。在此，在诸如门电路的逻辑基本功能中，每个NMOS场效应晶体管分配有至少一个PMOS场效应晶体管并且每个PMOS场效应晶体管分配有至少一个NMOS场效应晶体管。

所述电路具有第一负载装置以及第二负载装置。第一负载装置与第一供电电压相连接并且与数字CMOS电路的NMOS场效应晶体管的源极连接端子相连接。第二负载装置与第二供电电压相连接并且与数字CMOS电路的PMOS场效应晶体管的源极连接端子相连接。在此，负载装置应被理解为电路组成部分，所述电路组成部分对于流过它的电流而言是一个负载并且造成该负载上的电压降。在此优选地，负载装置具有对应于线性或非线性变化过程的电流电压特性曲线。

数字CMOS电路的NMOS场效应晶体管的基体连接端子直接与第一供电电压(导电地)连接。因此，在NMOS场效应晶体管的基体连接端子与第一供电电压之间不设置元件，尤其不设置具有电阻的元件。例如，NMOS场效应晶体管的基体连接端子通过导体，尤其是通过金属导体与供电电压连接。同样的情况也适用于数字CMOS电路的PMOS晶体管的基体连接端子，这些基体连接端子直接与第二供电电压相连接。

此外，本发明的任务还在于说明一种尽可能改进的、用于对电路进行控制的方法。所述任务通过具有独立权利要求11的特征的方法解决。有利的进一步构型是从属权利要求的主题并且包括在本说明书中。

因此，提出一种用于具有MOS场效应晶体管的电路的方法，所述方法用于在运行模式中以及在休眠模式中对电路进行控制，所述休眠模式与所述运行模式相比具有更少的电流消耗。在此，也可以设置多个休眠模式和/或多个运行模式。在运行模式中，与MOS场效应晶体管的源极连接端子相连接的负载装置被控制在低欧姆状态中。在此，在低欧姆状态中，在电路功能方面可以忽略负载装置上的电压降。例如，通过开关晶体管的接通来实现对低欧姆状态的控制。

在休眠模式中，负载装置被控制在具有与运行模式相比更高的电阻值的状态中。在此，负载装置被如此控制，使得在休眠模式中流过MOS场效应晶体管以及流过负载装置的漏电流产生负载装置上的电压降。

此外，本发明的任务在于，说明一种对于休眠模式和运行模式的电路的应用。

所述任务通过具有独立权利要求12的特征的应用解决。有利的进一步构型是从属权利要求的主题并且包括在本说明书中。

因此，提出负载装置的应用，所述负载装置用于在电路的MOS场效应晶体管上产生基体-源极电压。为此，负载装置与MOS场效应晶体管的源极连接端子连接。在电路的休眠模式中产生基体-源极电压。流过MOS场效应晶体管以及流过负载装置的漏电流造成负载装置上的电压降。所述电压降由于负载装置与MOS场效应晶体管的连接而在MOS场效应晶体管的源极连接端子和基体连接端子上产生基体-源极电压。优选地，尤其在休眠模式中仅漏电流流过负载装置。优选地，负载装置上的电压降仅由漏电流产生。

在本发明的另一方面中提出了对于休眠模式和运行模式的电路的应用。所述电路具有多个MOS场效应晶体管，这些MOS场效应晶体管的基体连接端子与供电电压相连接。

此外，所述电路还具有负载装置，所述负载装置与MOS场效应晶体管的源极连接端子相连接并且与供电电压相连接。