[发明专利]存储设备及其编程方法

权利要求书

1.一种非易失性存储设备，包括：

存储单元，其具有多个编程状态；以及

控制逻辑，其被配置用于参考存储单元的编程计数、用新的一比特数据 盖写在存储单元中存储的旧的一比特数据，使得所述旧的一比特数据在不对 存储单元执行擦除操作的情况下被盖写，并且所述控制逻辑被配置用于更新 该编程计数，

其中，所述新的一比特数据根据被更新的编程计数、通过单个读取操作 被读出。

2.如权利要求1所述的非易失性存储设备，其中，所述存储单元包括多 层单元，

其中，所述控制逻辑被配置用于根据编程计数来盖写所述旧的一比特数 据，并且该编程计数决定多个校验电压中的哪一个被用于盖写。

3.如权利要求2所述的非易失性存储设备，其中，所述控制逻辑被配置 用于基于被更新的编程计数来控制多层单元的读取，并且被更新的编程计数 决定多个读取电压中的哪一个被用于读取。

4.如权利要求2所述的非易失性存储设备，其中，所述控制逻辑被如下 配置：当要更新的数据不同于所存储的数据时，所述多层单元根据相应的校 验电压以要更新的数据来编程。

5.如权利要求4所述的非易失性存储设备，其中，所述控制逻辑被如下 配置：当要更新的数据与所存储的数据相同时，所述多层单元的当前状态被 保持。

6.如权利要求1所述的非易失性存储设备，其中，如果所述编程计数对 应于多个编程状态中的最高编程阶段，则所述控制逻辑被配置用于生成错误 信号，并被配置用于使盖写操作失效。

7.一种访问具有多个编程状态的多层单元的方法，包括：

将一比特数据盖写到所述多层单元，并且通过使用对应于盖写次数的校 验电压来校验该多层单元是否被编程；以及

通过使用对应于盖写次数的读取电压来读取所述多层单元中存储的一 比特数据，

其中，所述校验电压和读取电压随着盖写次数的增加而变高。