[发明专利]用于确定光刻掩模的可制造性的方法和系统

权利要求书

1.一种用于确定在制造半导体器件样品时所采用的光刻掩模的可制造性的方法，其包括：

从所述光刻掩模的掩模版图数据中选择多个目标边缘对，所述多个目标边缘对用于确定在形成所述光刻掩模时的制造惩罚，所述掩模版图数据包括多个多边形，每一个多边形具有多个边缘，并且每一个目标边缘对由一个或多个所述多边形中的两个边缘限定；

确定所述光刻掩模的所述可制造性，包括确定在形成所述掩模时的所述制造惩罚，其中基于所选择的目标边缘对确定所述制造惩罚，并且其中确定所述光刻掩模的所述可制造性包括使用在连续尺度上表征所述光刻掩模的所述可制造性的连续导数；以及

输出所述光刻掩模的所述可制造性，其中所述光刻掩模的所述可制造性依赖于在形成所述光刻掩模时的所述制造惩罚。

2.根据权利要求1的方法，其中使用在连续尺度上表征所述光刻掩模的所述可制造性的连续导数包括使用代表在形成所述光刻掩模时的所述制造惩罚的平滑变化的评估函数。

3.根据权利要求1的方法，其中所述“确定所述光刻掩模的所述可制造性，包括确定在形成所述掩模时的所述制造惩罚”包括：

对于具有属于同一多边形且彼此至少基本平行的第一边缘和第二边缘的选定目标边缘对，

确定由所述选定目标边缘对产生的制造形状惩罚，所述制造形状惩罚与在制造所述光刻掩模时发生的由同一多边形的形状引起的惩罚有关。

4.根据权利要求3的方法，其中确定所述制造形状惩罚包括评估：

P_shape＝P_{gap_size}×P_{jog_stair}×P_{aspect_ratio_i_a}×P_{aspect_ratio_j_a}×P_overlap

其中P_shape表示所述制造形状惩罚，P_{gap_size}表示由所述第一和第二边缘之间的间隙的尺寸而引起的制造惩罚，P_{jog_stair}表示制造惩罚归因于由所述第一和第二边缘限定的割阶形状还是阶梯形状，P_{aspect_ratio_i_a}表示由被表示为i的所述第一边缘相对于两个边缘i和j之间的间隙的尺寸的纵横比引起的制造惩罚，P_{aspect_ratio_j_a}表示由表示被为j的所述第二边缘相对于两个边缘i和j之间的间隙的尺寸的纵横比引起的制造惩罚，以及P_overlap表示由所述第一和第二边缘之间的重叠程度引起的制造惩罚，

其中P_shape、P_{gap_size}、P_{jog_stair}、P_{aspect_ratio_i_a}、P_{aspect_ratio_j_a}和P_overlap是平滑变化的连续函数，其与非平滑变化的不连续函数不同。

5.根据权利要求3的方法，其中确定所述制造形状惩罚包括评估表示制造惩罚归因于由所述第一和第二边缘限定的割阶形状还是阶梯形状的平滑变化的连续函数，

其中所述第一边缘由两个第一起始坐标和两个第一终止坐标限定，且所述第二边缘由两个第二起始坐标和两个第二终止坐标限定，

其中，如果与边缘之间的间隙的尺寸相比，两个边缘较长，并且所述第一边缘的方向与所述第二边缘对方向相反，则发生所述割阶形状，以及

其中，如果与边缘之间的间隙的尺寸相比，两个边缘较短，并且所述第一边缘的方向与所述第二边缘对方向相反，则发生翼状割阶形状，以及

其中，如果所述第一边缘的方向与所述第二边缘对方向相同，则发生所述阶梯形状。

6.根据权利要求1的方法，其中所述“确定所述光刻掩模的所述可制造性，包括确定在形成所述掩模时的所述制造惩罚”包括：

对于具有属于第一多边形的第一边缘和属于与所述第一多边形不同的第二多边形的第二边缘且所述第一和第二边缘彼此至少基本平行的选定目标边缘对，

确定由所述选定目标边缘对产生的制造间隙惩罚，所述制造间隙惩罚与在制造所述光刻掩模时发生的由所述第一和第二多边形之间的间隙引起的惩罚有关。