[发明专利]电容式微型硅麦克风及其制造方法

权利要求书

1.一种电容式微型硅麦克风包括：用于作为电容的一极且具有导电功能的背极板、用于作为所述电容的另一极且具有导电功能的振动膜及支撑所述振动膜的绝缘支撑体，所述背极板设有若干与振动膜连通的声孔，其特征在于：所述振动膜为圆形且包括外端面及位于外端面内侧的若干圆弧槽，所述圆弧槽将振动膜分割成若干圆弧形的梁，所述绝缘支撑体的一端支撑所述梁。

2.如权利要求1所述的电容式微型硅麦克风，其特征在于：所述梁的两端均是固定的，所述绝缘支撑体为圆筒状且所述绝缘支撑体的周围一圈均支撑所述梁。

3.如权利要求1所述的电容式微型硅麦克风，其特征在于：所述梁的两端均是固定的，所述绝缘支撑体为多个，每一个绝缘支撑体对应一个梁且绝缘支撑体支撑梁的中间部。

4.如权利要求1所述的电容式微型硅麦克风，其特征在于：所述振动膜设有若干分别连通圆弧槽且向外贯穿外端面的狭槽以将所述梁的一端悬空，所述梁设有自由端且所述绝缘支撑体的一端靠近梁的自由端，所述绝缘支撑体的另一端固定于背极板上。

5.如权利要求1所述的电容式微型硅麦克风，其特征在于：所述电容式微型硅麦克风设有支撑振动膜的中心的第二绝缘支撑体。

6.如权利要求1所述的电容式微型硅麦克风，其特征在于：所述电容式微型硅麦克风还包括衬底、位于衬底上的自停止层及分别形成于梁及背极板上的第一、第二金属压点，所述衬底设有与声孔连通的背腔，所述背极板形成于自停止层上，所述梁与振动膜为同一材质，第一金属压点与梁电性导通而第二金属压点与背极板电性导通。

7.如权利要求1至6项中任意一项所述的电容式微型硅麦克风，其特征在于：所述狭槽沿振动膜的径向延伸，所述若干圆弧槽的半径均相同且位于同一圆周上。

8.一种电容式微型硅麦克风的制造方法，其特征在于包括如下步骤：

1)在半导体材料的衬底上淀积或热氧生长氧化硅或氮化硅作为自停止层；

2)在所述自停止层上采用淀积工艺生成第一材料作为背极板；

3)利用光刻、刻蚀背极板得到声孔；

4)在所述背极板上采用淀积工艺得到氧化硅或氮化硅形成的绝缘牺牲层；

5)在所述绝缘牺牲层上淀积生成第一材料作为振动膜；

6)采用光刻、刻蚀工艺去除部分振动膜，形成若干梁；

7)采用光刻腐蚀，去除部分的绝缘牺牲层，以露出部分背极板；

8)采用淀积、溅射等方法得到金属层，再利用光刻、刻蚀等方法得到金属压点；

9)采用双面光刻、深槽刻蚀的方法在衬底背面形成背腔；

10)再通过选择性湿法腐蚀，选择只腐蚀自停止层及绝缘牺牲层的腐蚀液，通过背面的背腔先腐蚀除去部分自停止层，再通过声孔腐蚀部分绝缘牺牲层，使得振动膜与背极板之间不再有其他的绝缘牺牲层，振动膜可以自由振动发声，未腐蚀去除的绝缘牺牲层形成了绝缘支撑体，所述绝缘支撑体的一端支撑所述梁，而另一端固定于背极板上。

9.如权利要求8所述的电容式微型硅麦克风的制造方法，其特征在于：所述第一材料为多晶硅、多晶硅氮化硅、多晶硅氧化硅复合膜及金属加氮化硅中的一种。

10.如权利要求8所述的电容式微型硅麦克风的制造方法，其特征在于：所述梁设有一端悬空的自由端，且所述绝缘支撑体靠近梁的自由端。