[发明专利]逻辑电路

权利要求书

1.一种逻辑电路，包括：

具有栅极、源极、及漏极的耗尽型晶体管，

具有栅极、源极、及漏极的增强型晶体管，

与增强型晶体管的栅极电连接的第一线端；以及

与所述增强型晶体管连接到所述耗尽型晶体管的那部分电连接的 第二线端，

其中高电源电压端与耗尽型晶体管的源极和漏极中的一个电连 接，并且耗尽型晶体管的栅极与耗尽型晶体管的源极和漏极中的另一 个电连接；

其中增强型晶体管的源极和漏极中的一个与耗尽型晶体管的源极 和漏极中的另一个电连接，并且低电源电压端与增强型晶体管的源极 和漏极中的另一个电连接，

其中耗尽型晶体管和增强型晶体管的每个包括：

栅电极；

设置于栅电极之上的栅极绝缘层；

设置于栅极绝缘层之上的第一氧化物半导体层；

与第一氧化物半导体层的部分接触的源区和漏区，其中源区和漏 区是第二氧化物半导体层；

与源区接触的源电极；以及

与漏区接触的漏电极，

其中增强型晶体管包括在所述第一氧化物半导体层、源电极、及 漏电极之上的不可还原膜，

其中耗尽型晶体管不包括在所述第一氧化物半导体层、源电极、 及漏电极之上的不可还原膜，

其中所述不可还原膜覆盖所述第一氧化物半导体层中的在源电极 和漏电极之间的区域的表面，并且

其中所述增强型晶体管包括在第一氧化物半导体层的表面上于所 述源电极和所述漏电极之间的氧空位控制区，其中所述第一氧化物半 导体层的表面与同栅极绝缘层接触的表面相反。

2.根据权利要求1的逻辑电路，其中第一氧化物半导体层和第 二氧化物半导体层的每个包含铟、镓、及锌。

3.根据权利要求1的逻辑电路，其中耗尽型晶体管和增强型晶 体管具有相同的导电类型。

4.根据权利要求1的逻辑电路，其中增强型晶体管的源电极和 漏电极中的一个通过在栅极绝缘层中所设置的开口部分与耗尽型晶体 管的栅电极接触。