[发明专利]FINFET元件的制造方法

权利要求书

1.一种制造FinFET元件的方法，包括：

提供衬底；

在所述衬底上形成多个鳍；

在所述鳍上生长外延层，其中所述外延层包括锗；以及

进行锗凝结工艺，其中所述锗凝结工艺将锗从所述外延层转移到所述鳍上以形成锗鳍(Ge鳍)。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述衬底为硅衬底，其中所述外延层包括SiGe。

3.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在所述Ge鳍之上形成栅结构。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述锗凝结工艺形成氧化硅层，

其中通过湿法刻蚀工艺移除所述氧化硅层。

5.根据权利要求4所述的方法，其中所述衬底包括SOI衬底，所述湿法刻蚀移除所述SOI衬底的绝缘层的部分。

6.一种制造半导体器件的方法，包括：

提供衬底；

在所述衬底上形成硅鳍；

在所述硅鳍上形成包括锗的层；以及

将所述硅鳍转变为锗鳍，其中所述转变包括进行氧化以消耗硅鳍的硅，其中所述消耗的硅形成氧化硅层。

7.根据权利要求6所述的方法，其中所述形成硅鳍包括刻蚀衬底的硅层。

8.根据权利要求6所述的方法，其中所述衬底为绝缘体上硅(SOI)衬底。

9.根据权利要求6所述的方法，还包括：

在所述衬底上形成绝缘层。

10.根据权利要求6所述的方法，其中所述形成包括锗的层包括生长SiGe外延层，其中所述包括锗的层包括Sil-xGex的组分，其中x介于大约0.1到0.3之间。

11.根据权利要求6所述的方法，还包括：

移除通过氧化形成的所述氧化硅层。

12.一种FinFET器件，包括：

衬底；

设置在所述衬底上的鳍结构，所述鳍结构包括：

第一部分，其中所述第一部分包括锗；以及

第二部分，其中所述第二部分包括绝缘材料并在所述第一部分之下。

13.根据权利要求12所述的器件，其中所述鳍结构还包括位于所述第二部分之下的第三部分，其中所述第三部分为硅。

14.根据权利要求12所述的器件，其中所述绝缘材料包括氧化硅。

15.根据权利要求12所述的方法，还包括：

设置在所述鳍结构上的栅结构，其中所述FinFET器件的沟道设置在所述鳍结构的上部中。