[发明专利]旋涂器及用该旋涂器清洗衬底的方法

权利要求书

1.一种用于清洗晶片的方法，包括：

沿垂直于晶片的主表面的轴旋转半导体晶片；

在旋转晶片时，以振荡式运动沿着与所述主表面平行的方向移动晶片； 和

在旋转和移动晶片的同时，从分别位于所述晶片主表面的第1位置和 第2位置的第1和第2喷嘴或孔同时向晶片喷射材料，

其中，所述的振荡式运动沿着椭圆形路径运动，所述第1喷嘴和第2 喷嘴沿所述椭圆形路径的轴基本上位于所述晶片的一部分的正上方或正下 方。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述的材料为清洗溶剂。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述的第1喷嘴或孔和所述的 第2喷嘴或孔沿所述椭圆形路径的短轴基本上位于晶片的一部分的正上方 或正下方。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述的第1喷嘴或孔基本上位 于所述椭圆形路径的中心的正上方或正下方，所述的第2喷嘴或孔基本上 位于所述椭圆形路径的正上方或正下方，或位于距离椭圆形路径的正上方 或正下方0.14*R的位置处，所述R为晶片的半径。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述的椭圆形路径的长轴约等 于所述晶片的直径，所述的椭圆形路径的短轴约等于所述晶片的半径。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，

所述椭圆形路径的长轴约等于所述晶片的直径，所述的椭圆形路径的 短轴约等于所述晶片的半径；

所述的第1喷嘴或孔和所述的第2喷嘴或孔沿所述椭圆形路径的短轴 定位；和

所述的第1喷嘴和第2喷嘴之间间隔的距离约为晶片的半径。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述的第1喷嘴或孔和第2喷 嘴或孔之间间隔的距离约为晶片的半径。

8.一种用于清洗晶片的方法，包括：

以垂直于晶片的主表面的轴旋转半导体晶片；

在旋转晶片时，以振荡式运动沿着与所述表面相平行的方向移动晶片 或第1以及第2喷嘴或一对孔；和

在旋转晶片和移动晶片或第1以及第2喷嘴或所述一对孔的同时，从 第1喷嘴或孔和第2喷嘴或孔向所述晶片的表面喷射材料，

其中，所述的振荡式运动沿着椭圆形路径运动，所述第1喷嘴和第2 喷嘴沿所述椭圆形路径的轴基本上位于所述晶片的一部分的正上方或正下 方。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，

所述材料由第1喷嘴或孔喷射向第1位置；并且，

所述材料由第2喷嘴或孔喷射向第2位置，使得，在所述第1位置的 喷射和在所述第2位置的喷射不相互重叠。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，所述的第1喷嘴或孔和第2 喷嘴或孔之间间隔的距离约为晶片的半径。

11.一种系统，包括：

用于使半导体晶片以垂直于所述晶片的主表面的轴进行旋转的旋涂 器，在旋转晶片时，所述旋涂器以振荡式运动沿着与所述主表面相平行的 方向移动晶片；和

至少两个喷嘴或孔，用于在所述旋转以及移动晶片时向所述晶片的所 述主表面的两个位置同时喷射材料，

其中，所述的振荡式运动沿着椭圆形路径运动，所述两个喷嘴或孔沿 所述椭圆形路径的轴基本上位于所述晶片的一部分的正上方或正下方。

12.根据权利要求11所述的系统，其中，振荡式运动为所述晶片的中 心沿椭圆形路径运动。

13.根据权利要求12所述的系统，其中，所述的至少两个喷嘴或孔基 本上沿着所述椭圆形路径的短轴方向位于所述晶片的一部分的正上面或正 下面。

14.根据权利要求13所述的系统，其中，所述的至少两个喷嘴或孔彼 此间隔开大于或等于0.886R且小于或等于R的距离，所述R为晶片半径。

15.根据权利要求14所述的系统，其中所述晶片的半径为R，所述椭 圆形路径的长轴为a，且1.886R≤a≤2R；或者所述椭圆形路径的短轴为b， 且0.22R≤b≤R。