[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法和有机发光二极管显示装置

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：

包括像素部分和互连部分的基板；

在基板上的缓冲层；

在缓冲层上的栅电极和栅极互连件，所述栅电极位于像素部分，所述栅电极互连件位于互连部分；

在基板上的栅极绝缘层；

在栅电极上的半导体层；

电连接到半导体层的源电极和漏电极；

在栅极互连件上的金属图案。

2.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，所述金属图案包含与源电极和漏电极的材料相同的材料。

3.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，所述源电极和漏电极以及金属图案包含钼、铬、钨、钼-钨、铝、铝-钕、钛、氮化钛、铜、钼合金、铝合金和铜合金中的至少一种。

4.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，所述薄膜晶体管还包括在半导体层与源电极和漏电极之间的杂质掺杂的硅层。

5.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，所述半导体层是多晶硅层。

6.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，所述栅极互连件与金属图案直接接触。

7.一种制造薄膜晶体管的方法，所述方法包括以下步骤：

提供具有像素部分和外围部分的基板；

在基板上形成缓冲层；

在缓冲层上形成栅电极和栅极互连件，所述栅电极位于像素部分，并且所述栅极互连件位于外围部分；

在栅电极和栅极互连件上形成栅极绝缘层；

形成非晶半导体层并对非晶半导体层进行图案化，以在像素部分的栅电极上形成半导体层图案；

在基板上形成金属层，以使所述金属层电连接到半导体层图案和栅极互连件；

将电场施加到金属层，以使半导体图案结晶而形成半导体层；

将金属层图案化，以形成电连接到像素部分的半导体层的源电极和漏电极以及在栅极互连件上的金属图案。

8.如权利要求7所述的方法，其中，所述金属图案与栅极互连件直接接触。

9.如权利要求7所述的方法，其中，通过向源电极/漏电极金属层施加100V/cm²-10000V/cm²的电场执行所述结晶。

10.如权利要求7所述的方法，其中，所述金属层在基板上形成50nm至200nm的厚度。

11.如权利要求7所述的方法，其中，所述金属层包含钼、铬、钨、钼-钨、铝、铝-钕、钛、氮化钛、铜、钼合金、铝合金和铜合金中的至少一种。

12.如权利要求7所述的方法，其中，所述方法还包括在半导体层与源电极和漏电极之间形成杂质掺杂的硅层。

13.一种有机发光二极管显示装置，所述有机发光二极管显示装置包括被构造成发光的有机发光二极管和结合到有机发光二极管的薄膜晶体管，每个薄膜晶体管包括：

具有像素部分和互连部分的基板；

在基板上的缓冲层；

在缓冲层上的栅电极和栅极互连件，其中，所述栅电极位于像素部分，并且所述栅极互连件位于互连部分；

在整个基板上的栅极绝缘层；

在栅电极上的半导体层；

电连接到半导体层的源电极和漏电极；

在整个基板上的绝缘层；

在绝缘层上的第一电极、源电极、漏电极、有机层和第二层，其中，第一电极电连接到源电极、漏电极、有机层和第二层；

在栅极互连件上的金属图案。

14.如权利要求13所述的有机发光二极管显示装置，其中，所述金属图案包含与源电极和漏电极的材料相同的材料。

15.如权利要求13所述的有机发光二极管显示装置，其中，所述有机发光二极管显示装置还包括设置在半导体层与源电极和漏电极之间的杂质掺杂的硅层。

16.如权利要求13所述的有机发光二极管显示装置，其中，所述源电极和漏电极以及金属图案包含钼、铬、钨、钼-钨、铝、铝-钕、钛、氮化钛、铜、钼合金、铝合金和铜合金中的至少一种。

17.如权利要求13所述的有机发光二极管显示装置，其中，所述半导体层是多晶硅层。

18.如权利要求13所述的有机发光二极管显示装置，其中，所述栅极互连件与金属图案直接接触。