[发明专利]一种减少晶片表面外逸有害气体的集成电路加工设备

说明书

技术领域

本发明涉及集成电路加工设备，尤其涉及一种能够减少晶片表面外逸有害气体的集成电路加工设备。

背景技术

现有技术中，集成电路加工设备如TCP-9400机台，对产品进行处理完成之后，会发生设备周围环境中Cl、Br离子浓度过高的现象。

上述周围环境中Cl、Br离子浓度过高的现象，降低了产品的良率，也影响了人员及设备的安全。

发明内容

本发明提供一种减少晶片表面外逸有害气体的集成电路加工设备，该设备对产品进行处理完成后能够降低其周围环境中Cl、Br离子的浓度。

为达到上述目的，本发明采用如下技术方案：

一种减少晶片表面外逸有害气体的集成电路加工设备，包括晶片装载腔室，其中，所述晶片装载腔室的门口外部设置有集气装置。

作为对上述技术方案的优化，所述集气装置包括中空的集气罩台和与所述集气罩台相连的排气装置，其中，

所述集气罩台位于所述晶片装载腔室的门口外部，所述集气罩台上部设置有进气孔，所述集气罩台下部通过管路与所述排气装置相连。

作为对上述技术方案的优化，所述管路上设置有开关。

本发明提供的集成电路加工设备，其晶片装载腔室的门口外部设置有集气装置，该集气装置能够吸收从晶片表面经由晶片装载腔室而散逸至外界环境中的Cl₂、HBr气体，因此，本发明能够在设备对产品进行处理完成后，降低设备周围环境中Cl、Br离子的浓度，从而提高产品良率，有效保护人员及设备的安全。

附图说明

图1为现有技术中机台对产品进行处理完成后残气分子自由散逸示意图；

图2为本发明的机台对产品进行处理完成后残气分子被集气装置抽走的示意图；

图3为图2所示机台中集气罩台的俯视结构示意图；

图4a为现有技术中未安装集气装置的机台其HBr用量与周围环境Br浓度的关系示意图；

图4b为本发明中安装集气装置后的机台其HBr用量与周围环境Br浓度的关系示意图；

图5a现有技术中未安装集气装置的机台其Cl₂用量与周围环境Cl浓度的关系示意图；

图5b为本发明中安装集气装置后的机台其Cl₂用量与周围环境Cl浓度的关系示意图。

具体实施方式

为解决现有技术中集成电路加工设备对产品进行处理完成后其周围环境中Cl、Br离子浓度过高的问题，本发明提供一种减少晶片表面外逸有害气体的集成电路加工设备。下面结合附图对本发明作详细说明。

本发明中，集成电路加工设备以TCP-9400机台为例进行说明，但本发明的集成电路加工设备不限于该机台，它还可以为其它类型和型号的设备。

如图2所示，本发明的减少晶片表面外逸有害气体的集成电路加工设备(即TCP-9400机台)，它包括晶片装载腔室20(Loadlock Chamber)，其中，该晶片装载腔室20的门口外部设置有集气装置21。

经试验发现，现有技术中机台对产品进行处理完成后，其周围环境中Cl、Br离子浓度过高是由于：如图1所示，机台晶片装载腔室10的闸门(Gate door)打开后，制程残余的Cl₂、HBr气体分子会散逸至大气中，气体分子的运动方向无规则。

而本发明的TCP-9400机台，如图2所示，其晶片装载腔室20的门口外部设置有集气装置21，该集气装置21能够吸收从晶片表面经由晶片装载腔室而散逸至外界环境中的Cl₂、HBr气体，因此，本发明能够在设备对产品进行处理完成后，降低设备周围环境中Cl、Br离子的浓度，从而提高产品良率，有效保护人员及设备的安全。

本发明中，集气装置21优选采用如下结构：

如图2和图3所示，它包括中空的集气罩台211(Stage)和与集气罩台211相连的排气装置212(Exhaust)，其中，

集气罩台211位于晶片装载腔室20的门口外部，集气罩台211上部设置有进气孔213，集气罩台211下部通过管路214与排气装置212相连。排气装置212可以为抽气机等吸气装置。

工作时，制程残余的气体大部分经集气罩台211的进气孔213进入集气罩台211中，然后被与集气罩台211相连的排气装置212抽走，进行后续处理。

另外，管路214上还可以设置有开关215，以方便对集气装置21的工作状态的进行控制。

本发明中的集气装置除了采用上述结构外，还可以采用现有技术中的其它集气方式，此处不一一赘述。