[发明专利]一种使SONOS电晶体兼具开关以及记忆体的方法

权利要求书

1.一种使SONOS电晶体兼具开关以及记忆体的方法，该电晶体包含一栅极、一源极、一漏极和一电荷储存层，其步骤包含：

提供该栅极一第一操作电压用以累积电子于该电荷储存层中，并使该电晶体之一临界电压的电压值由一第一临界电压增加至一第二临界电压，且该电晶体的该临界电压稳定维持在该第二临界电压；

执行一开关模式或一记忆体模式；

进入该开关模式，判断提供给该栅极之一第二操作电压是否高于该第二临界电压，若高于该临界电压则导通，若否则截止；

进入该记忆体模式，给予该栅极一第一判断电压，并提供一第二判断电压至该源极或该漏极，借以判断该电晶体内的记体状态；

执行写入操作，给与栅极一写入电压，源极和漏极为接地状态；

执行抹除操作，提供一抹除电压于该漏极或源极，其余两极接地；

其中，该开关模式与该记忆体模式为两独立模式，运作结束后即可结束操作。

2.如权利要求1所述的使SONOS电晶体兼具开关以及记忆体的方法，其中该电晶体执行写入操作时，提供写入电压加设于该栅极之上，且漏极和源极呈现为接地状态，使电子注入该电晶体的电荷储存层中。

3.如权利要求1所述的使SONOS电晶体兼具开关以及记忆体的方法，其中该电晶体执行抹除状态时，提供该源极该抹除电压，该栅极与该漏极呈现为接地状态，以抹除该源极上方的该电荷储存层的电子。

4.如权利要求1所述的使SONOS电晶体兼具开关以及记忆体的方法，其中该电晶体执行抹除状态时，提供该漏极该抹除电压，其栅极与该源极呈现为接地状态，以抹除该漏极上方的该电荷储存层的电子。

5.如权利要求1所述的使SONOS电晶体兼具开关以及记忆体方法，其中该电晶体为一场效电晶体或薄膜电晶体。

6.如权利要求1所述的使SONOS电晶体兼具开关以及记忆体方法，其中该电晶体当作记忆体使用时，该源极与漏极系分别操作，使该电晶体具有二位元的记忆效果。

7.如权利要求1所述的使SONOS电晶体兼具开关以及记忆体的方法，其中该SONOS电晶体的电荷储存层为一氮化硅层、氧化铝层、氧化钽层或氧化钛层。