[发明专利]栅极轮廓的进阶工艺控制方法与制造集成电路元件的系统

权利要求书

1.一种进阶工艺控制方法，用以制造一半导体元件，其特征在于该进阶工艺控制方法至少包含：

提供一基材；

进行多个工艺，以在该基材上形成一栅极堆，其中该栅极堆包括一栅极层；

在所述工艺的至少之一后，测量该栅极层的一晶粒尺寸测量值；

判断该晶粒尺寸测量值是否在一目标范围内；以及

倘若该测量晶粒尺寸测量值不在该目标范围内，修改所述工艺的至少之一的一工艺参数。

2.根据权利要求1所述的进阶工艺控制方法，其特征在于其还至少包含：

利用修改的该工艺参数值，对该基材进行所述工艺的至少之一。

3.根据权利要求1所述的进阶工艺控制方法，其特征在于其中进行所述工艺以在该基材上形成该栅极堆的步骤至少包含：

进行一沉积工艺，以在该基材上形成该栅极层；

对该栅极层进行一回火工艺；以及

对该栅极层进行一蚀刻工艺，以形成该栅极堆。

4.根据权利要求3所述的进阶工艺控制方法，其特征在于其中测量该栅极层的该晶粒尺寸测量值的步骤至少包含下列步骤之一：

在该沉积工艺之后，测量该栅极层的该晶粒尺寸测量值；

将该晶粒尺寸测量值回馈予该沉积工艺；

将该晶粒尺寸测量值前馈予该回火工艺；

将该晶粒尺寸测量值前馈予该蚀刻工艺；以及

上述步骤的任意组合。

5.根据权利要求3所述的进阶工艺控制方法，其特征在于其中测量该栅极层的该晶粒尺寸测量值的步骤至少包含下列步骤之一：

在该回火工艺之后，测量该栅极层的该晶粒尺寸测量值；

将该晶粒尺寸测量值回馈予该沉积工艺；

将该晶粒尺寸测量值回馈予该回火工艺；

将该晶粒尺寸测量值前馈予该蚀刻工艺；以及

上述步骤的任意组合。

6.根据权利要求3所述的进阶工艺控制方法，其特征在于其中测量该栅极层的该晶粒尺寸测量值的步骤至少包含：

在该蚀刻工艺之后，测量该栅极层的该晶粒尺寸测量值；以及

将该晶粒尺寸测量值回馈予该沉积工艺、该回火工艺、该蚀刻工艺以及上述工艺的任意组合。

7.根据权利要求3所述的进阶工艺控制方法，其特征在于其中修改所述工艺的至少之一的该工艺参数的步骤至少包含：

调整该回火工艺、该蚀刻工艺以及上述工艺的任意组合之一。

8.根据权利要求1所述的进阶工艺控制方法，其特征在于其中测量该栅极层的该晶粒尺寸测量值的步骤至少包含：

进行一光学散射方法。

9.一种控制栅极轮廓的方法，用于集成电路元件工艺中，其特征在于该控制栅极轮廓的方法至少包含：

进行一沉积工艺，以在一晶圆上形成一栅极层；

在该沉积工艺之后，进行一第一晶粒尺寸测量工艺；

根据一第一晶粒尺寸测量值，对该栅极层进行一回火工艺；

在该回火工艺之后，进行一第二晶粒尺寸测量工艺；以及

根据一第二晶粒尺寸测量值，对该栅极层进行一蚀刻工艺。

10.根据权利要求9所述的控制栅极轮廓的方法，其特征在于其中根据测量的该第一晶粒尺寸对该栅极层进行该回火工艺的步骤至少包含：

判断该第一晶粒尺寸测量值是否在一正常范围内；以及

倘若该第一晶粒尺寸测量值不在该正常范围内，调整该回火工艺的一工艺参数。

11.根据权利要求9所述的控制栅极轮廓的方法，其特征在于其中根据测量的该第二晶粒尺寸、对该栅极层进行该蚀刻工艺的步骤至少包含：

判断该第二晶粒尺寸测量值是否在一正常范围内；以及

倘若该第二晶粒尺寸测量值不在该正常范围内，调整该回火工艺的一工艺参数。

12.根据权利要求9所述的控制栅极轮廓的方法，其特征在于其还至少包含：

根据该第一晶粒尺寸测量值，调整该沉积工艺的一工艺参数。