[发明专利]闪存的存取装置及其存取方法

说明书

技术领域

本发明是有关一种闪存存取装置及存取方法，且特别是有关一种扩充开放式与非门闪存介面的存取装置及存取方法。

背景技术

在过去，非门式闪存(NAND flash)由许多的供货商来制造。而这些不同的供货商所制造出来的非门式闪存虽然都具有类似的封装、输出入脚位以及类似的控制命令组(command set)，但是，每当要更换不同供货商所提供的非门式闪存时，一些韧体(firmware)上的调整还是必要的。

因应上述的问题，一些主要的非门式闪存的供货商联合提出一种所谓的开放式与非门闪存介面(Open NAND Flash Interface，以下称ONFI)的标准，用来提供非门式闪存一个标准的规格以及介面。不过，在这个ONFI的标准下，其闪存的控制器只有提供一组ONFI信号线。在此，若是欲扩充为使用两组的闪存时，闪存的控制器的ONFI信号线则必须被拆开成两组来使用。如此一来，造成了使用上很大的限制。

发明内容

本发明提供一种闪存存取装置及其存取方法，用来扩充开放式与非门闪存介面上的高速缓存。

本发明提出一种闪存存取装置包括内存控制器、第一开放式与非门闪存介面以及扩充闪存模块。第一开放式与非门闪存介面耦接内存控制器，用来连接主要的闪存模块。扩充闪存模块，耦接内存控制器及第一开放式与非门闪存介面。其中，内存控制器侦测第一开放式与非门闪存介面所连接的主要闪存模块及扩充闪存模块为单面或是双面来获得侦测结果。并依据侦测结果来设定扩充闪存模块及主要闪存模块的存取方式。

在本发明的一实施例中，其中当上述的内存控制器侦测主要闪存模块及扩充闪存模块均为单面时，内存控制器连结主要闪存模块及扩充闪存模块成为双信道闪存模块。

在本发明的一实施例中，其中当上述的内存控制器侦测主要闪存模块及扩充闪存模块均为双面时，内存控制器设定扩充闪存模块及主要闪存模块的其中之一为工作内存，并设定扩充闪存模块及主要闪存模块的另一为备用内存。

在本发明的一实施例中，上述的内存控制器更禁能备用内存的存取。

在本发明的一实施例中，上述的内存控制器更包括侦测工作内存的读取或写入的正常与否。

在本发明的一实施例中，当上述的内存控制器侦测工作内存的读取或写入不正常时，内存控制器禁能主要内存的存取，并切换备用内存为主要内存。

在本发明的一实施例中，上述的内存控制器、第一开放式与非门闪存介面以及扩充闪存介面皆配置在主机板上。

在本发明的一实施例中，其中更包括扩充闪存介面。扩充闪存介面耦接内存控制器及第一开放式与非门闪存介面，用来连接扩充闪存模块。

在本发明的一实施例中，上述的内存控制器、第一开放式与非门闪存以及扩充闪存介面配置在主机板上，而扩充闪存介面为第二开放式与非门闪存介面。

在本发明的一实施例中，上述的扩充闪存模块直接配置在主机板上，且内存控制器以及第一与非门闪存介面配置在主机板上。

本发明另提出一种闪存存取方法，包括：首先，提供第一开放式与非门闪存介面来连接主要闪存模块并提供扩充闪存模块。然后，侦测第一开放式与非门闪存介面所连接的主要闪存模块及扩充闪存模块为单面或是双面来获得侦测结果。并且，依据侦测结果来设定扩充闪存模块及主要闪存模块的存取方式。

基于上述，本发明藉由在开放式与非门闪存介面外另提供扩充闪存介面来扩充闪存的容量，并藉由侦测开放式与非门闪存介面上的主要闪存模块以及扩充闪存介面上的扩充闪存模块的单、双面的状态，来设定扩充闪存模块及主要闪存模块的存取方式。有效的最佳化了扩充闪存模块及主要闪存模块的应用。

为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附附图作详细说明如下。

附图说明

图1A标示本发明的一实施例的闪存存取装置100。

图1B～1C标示本发明的一实施例的主机板配置闪存存取装置100不同实施方式的示意图。

图2标示本发明的一实施例的闪存存取方法的流程图。

具体实施方式

请参照图1，图1标示本发明的一实施例的闪存存取装置100。闪存存取装置100包括内存控制器110、开放式与非门闪存介面120以及扩充闪存介面130。开放式与非门闪存介面120与内存控制器110耦接，并用来连接主要闪存模块121。扩充闪存介面130同样也耦接内存控制器110，扩充闪存介面130则提供用来连接扩充闪存模块131。