[发明专利]封装基板的制法有效
申请号: | 200910210710.6 | 申请日: | 2009-11-06 |
公开(公告)号: | CN102054709A | 公开(公告)日: | 2011-05-11 |
发明(设计)人: | 刘谨铭 | 申请(专利权)人: | 欣兴电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H05K3/46 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 冯志云 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 封装 制法 | ||
1.一种封装基板的制法,其特征在于,包括:
提供一基材,是由具有相对两表面的离形膜、分别形成在该离形膜的表面并包覆该离形膜的第一辅助介电层、及分别形成在该第一辅助介电层上的金属层组成,并在各金属层上定义出有效区;
在该金属层形成内部线路层;
在各第一辅助介电层及内部线路层上形成增层结构,各增层结构最外层的表面具有多个第一电性接触垫,以在该离形膜的两表面上形成初始基板;
移除该有效区以外的部分;
移除该离形膜;以及
在该第一辅助介电层上形成多个介电层开孔,以令该初始基板形成基板本体,且令部分内部线路层对应外露在各介电层开孔,从而供作为第二电性接触垫。
2.根据权利要求1所述的封装基板的制法,其特征在于,该基材的制法包括:
提供该离形膜;
在该离形膜的相对两表面上依序放置该第一辅助介电层及金属层,且该第一辅助介电层的面积大于该离形膜的面积,又该金属层的面积大于该第一辅助介电层的面积;以及
压合各金属层、第一辅助介电层、及离形膜。
3.根据权利要求1所述的封装基板的制法,其特征在于,该增层结构具有至少一介电层、设在该介电层上的线路层、及设在该介电层中且电性连接该线路层与内部线路层的导电盲孔,且最外的线路层电性连接该第一电性接触垫。
4.根据权利要求1所述的封装基板的制法,其特征在于,移除该有效区以外的部分是通过切割方式。
5.根据权利要求1所述的封装基板的制法,其特征在于,该制法还包括在该增层结构上形成绝缘保护层,且该绝缘保护层形成多个绝缘保护层开孔,以令各第一电性接触垫对应外露在各绝缘保护层开孔。
6.根据权利要求1或5所述的封装基板的制法,其特征在于,该制法还包括在该第一电性接触垫及第二电性接触垫上形成表面处理层。
7.一种封装基板的制法,其特征在于,包括:
提供一基材,是由具有相对两表面的离形膜、分别形成在该离形膜的表面并包覆该离形膜的第一辅助介电层、及分别形成在该第一辅助介电层上的核心板,各核心板具有相对的第一表面及第二表面,在该第一表面及第二表面上具有内层线路,且各核心板的第二表面结合至该第一辅助介电层上,并在各核心板的第一表面上定义出有效区;
在各核心板的第一表面上形成增层结构,以在该离形膜的两表面上形成初始基板,且各增层结构最外层表面具有多个第一电性接触垫;
移除各有效区以外的部分;
移除该离形膜;以及
在该第一辅助介电层上形成多个介电层开孔,以令该初始基板形成基板本体,且令该核心板的第二表面上的内层线路对应外露在各介电层开孔,从而供作为第二电性接触垫。
8.根据权利要求7所述的封装基板的制法,其特征在于,该基材的制法包括:
提供该离形膜;
在该离形膜的相对两表面上依序放置该第一辅助介电层及核心板,且该第一辅助介电层的面积大于该离形膜的面积,又各核心板的面积大于该第一辅助介电层的面积,以令各核心板完全覆盖该第一辅助介电层;以及
压合各核心板、第一辅助介电层、及离形膜。
9.根据权利要求7所述的封装基板的制法,其特征在于,该核心板中还具有导电通孔,以电性连接该第一表面及第二表面上的内层线路。
10.根据权利要求7所述的封装基板的制法,其特征在于,该增层结构具有至少一介电层、设在该介电层上的线路层、及设在该介电层中且电性连接该线路层与内层线路的导电盲孔,且最外的线路层电性连接该第一电性接触垫。
11.根据权利要求7所述的封装基板的制法,其特征在于,移除该有效区以外的部分是通过切割方式。
12.根据权利要求7所述的封装基板的制法,其特征在于,该制法还包括在该增层结构上形成绝缘保护层,且该绝缘保护层具有多个绝缘保护层开孔,以令各第一电性接触垫对应外露在各绝缘保护层开孔。
13.根据权利要求7或12所述的封装基板的制法,其特征在于,该制法还包括在该第一电性接触垫及第二电性接触垫上形成表面处理层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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