[发明专利]一种有效降低封装热阻大功率LED灯

说明书

技术领域

本发明涉及LED照明装置，具体为一种有效降低封装热阻大功率LED灯。

背景技术

对于大功率LED器件而言，尽可能减少传热回路中的热沉数量是降低热阻的一个重要途径，即芯片直接封装在金属散热器上。然而，由于LED芯片与金属材料之间热膨胀系数的不匹配，两者受热后会产生热错配应力，会导致LED器件发光失效或者导热效果减弱等不良后果。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种有效降低封装热阻大功率LED灯，具有新型的结构，降低热错配应力，而又不大幅增加热沉厚度。

本发明解决上述技术问题所采用的技术方案为：

一种有效降低封装热阻大功率LED灯，包括金属基座和封装在金属基座上的了的LED芯片以及金属导线、封装胶体，金属基座与LED芯片之间设有用于缓冲LED芯片与金属基座之间的热错配应力的热沉缓冲层。

所述热沉缓冲层为电镀设置于金属基座上的FeNi合金层。

所述FeNi合金层厚度为2-5微米。

LED芯片与热沉缓冲层采用共晶焊接的方式连接。

FeNi合金层含有36％的Ni。

金属基座1选择导热性能较好的铜材料。

本发明的有益效果在于：设置了FeNi合金层作为热沉缓冲层，降低热错配应力，而又不大幅增加热沉厚度，特别是FeNi合金层含有36％的Ni，的选择，选用含有36％的Ni的这一合金，效果最佳的。这种成分比的合金，称之为因瓦合金，也称为殷钢，其热膨胀系数很低，趋近于零。另外是结合共晶焊工艺，更加有效降低热错配应力，保证大功率LED灯的功效和使用寿命。

附图说明

图1、本发明一种有效降低封装热阻大功率LED灯结构示意图。

具体实施方式

如图1所示的一种有效降低封装热阻大功率LED灯，包括金属基座1和封装在金属基座1上的了的LED芯片2以及金属导线4、封装胶体5，金属基座1与LED芯片2之间设有用于缓冲LED芯片与金属基座之间的热错配应力的热沉缓冲层3。

所述热沉缓冲层3为电镀设置于金属基座1上的FeNi合金层。

所述FeNi合金层厚度为2-5微米。

FeNi合金层含有36％的Ni。

LED芯片2与热沉缓冲层3采用共晶焊接的方式连接。

金属基座1选择导热性能较好的铜材料。

本发明不仅局限于上述最佳实施方式，任何人在本发明的启示下都可得出其他各种形式的产品，但不论在其形状或结构上作任何变化，凡是具有与本发明相同或相近似的技术方案，均在其保护范围之内。