[发明专利]用于背面照明图像传感器的背面封装件的双金属有效
申请号: | 200910211246.2 | 申请日: | 2009-11-05 |
公开(公告)号: | CN101783319A | 公开(公告)日: | 2010-07-21 |
发明(设计)人: | 庄俊杰;杨敦年;刘人诚;王文德;洪志明;陈保同 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/82 | 分类号: | H01L21/82;H01L27/146;H01L21/768;H01L21/60 |
代理公司: | 北京市德恒律师事务所 11306 | 代理人: | 梁永 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 背面 照明 图像传感器 封装 双金属 | ||
1.一种制造背面照明传感器器件的方法,所述方法包括:
设置具有前表面和后表面的衬底;
在所述衬底的前表面上形成一个或多个传感器元件;
在所述衬底的前表面的上方形成一个或多个金属化层,其中,形成第一金属化层包括:
在所述衬底的前表面的上方形成第一导电层;
将所述第一导电层从所述衬底的第一区域中去除;
在所述衬底的前表面的上方形成第二导电层;以及
将所述第二导电层的一部分从所述衬底的第一区域和第二区域中去除,其中,所述第一区域中的第一金属化层包括所述第二导电层,所述第二区域中的第一金属化层包括所述第一导电层和所述第二导电层。
2.如权利要求1所述的方法,进一步包括在所述第二区域中形成从所述衬底的后表面延伸至第一金属化层的开口。
3.如权利要求1所述的方法,其中,所述第一区域包括集成电路器件区域,所述第二区域包括测试区域,并且所述第一区域中的第一金属化层的厚度比所述第二区域中的第一金属化层的厚度小。
4.如权利要求1所述的方法,其中,将所述第一导电层从所述衬底的第一区域去除包括:
在所述第一导电层的上方形成光刻胶层;
图样化所述光刻胶层以形成一个或多个第一部分和一个或多个第二部分,其中,第一部分提供所述第一导电层的无保护部分,第二部分提供所述第一导电层的受保护部分;以及
蚀刻所述光刻胶层的第一部分和所述第一导电层的无保护部分。
5.如权利要求4所述的方法,进一步包括去除所述光刻胶层的第二部分,其中,所述第一导电层的受保护部分限定所述第二区域中的第一金属化层的一部分。
6.如权利要求1所述的方法,其中,将所述第二导电层的一部分从所 述第一区域和所述第二区域中去除包括:
在所述第二导电层的上方形成光刻胶层;
图样化所述光刻胶层以形成一个或多个第一部分和一个或多个第二部分,其中,所述第一部分提供所述第二导电层的无保护部分,所述第二部分提供所述第二导电层的受保护部分;以及
蚀刻所述光刻胶层的第一部分和所述第二导电层的无保护部分。
7.如权利要求6所述的方法,进一步包括去除所述光刻胶层的第二部分,其中,所述第二导电层的受保护部分限定所述第一区域中的第一金属化层和所述第二区域中的第一金属化层的一部分;以及
在所述衬底的前表面的上方形成一个或多个层间介电层以及一个或多个接触结构和/或通孔结构。
8.一种形成包括具有第一区域和第二区域的衬底的集成电路器件的方法,所述方法包括:
设置衬底,所述衬底具有第一表面和第二表面;
在所述衬底的第一表面的上方形成第一导电层;
去除所述第一区域中的衬底上方的第一导电层;
在所述衬底的第一表面上方形成第二导电层;
去除部分的所述第二导电层,其中形成第一金属化层,所述第一金属化层包括所述第一区域中的第二导电层,所述第一金属化层包括所述第二区域中的所述第一导电层和所述第二导电层;以及
在所述第二区域中形成从所述衬底的第二表面延伸至所述第一金属化层的开口。
9.如权利要求8所述的方法,进一步包括在所述衬底的第一表面上形成一个或多个传感器元件;以及
在所述衬底的第一表面上方形成一个或多个金属化层和一个或多个介电层,
所述第二区域中的所述第一金属化层比所述第一区域中的所述第一金属化层厚。
10.如权利要求8所述的方法,其中,去除所述第一区域中的衬底上 方的所述第一导电层,包括:
在所述第一导电层的上方形成光刻胶层;
图样化所述光刻胶层以形成所述第一导电层的无保护部分和所述第一导电层的受保护部分;以及
蚀刻所述第一导电层的无保护部分。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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