[发明专利]双层、三层掩模CD控制

权利要求书

1.一种用于控制刻蚀层中的刻蚀特征的关键尺寸的方法，该刻蚀 层位于功能化的有机掩模层下，该功能化的有机掩模层位于中 间掩模层下，该中间掩模层位于图案化的光刻胶掩模下，从而 形成堆栈，该方法包含：

通过相对于所述图案化的光刻胶掩模选择性地刻蚀该中 间掩模层，打开该中间掩模层；

打开该功能化的有机掩模层，包含：

使含氧硫化碳的打开气体流入；

形成等离子体；

停止该打开气体的流入；以及

刻蚀该刻蚀层;

其中该功能化的有机掩模层是聚合物。

2.如权利要求1所述的方法，进一步包含将基片卡持机构的温度 保持为大于5℃。

3.如权利要求1所述的方法，其中该中间掩模层是含硅的有机防 反射涂层（ARC）。

4.如权利要求1所述的方法，其中该刻蚀层包含氧化物、氮化钛、 有机硅酸盐玻璃中的至少一种。

5.如权利要求1所述的方法，其中该刻蚀层是由电介质材料制成 的，而该刻蚀特征是触点。

6.如权利要求1所述的方法，进一步包含：

在打开该中间掩模层之前，将该堆栈放入等离子体处理 室；

在刻蚀该刻蚀层之后，从该等离子体处理室除去该堆栈。

7.如权利要求1所述的方法，其中该打开该功能化的有机掩模层 缩小该刻蚀特征的关键尺寸。

8.一种用于控制功能化的有机层中的刻蚀特征的关键尺寸的方 法，该功能化的有机层位于中间掩模层下，该中间掩模层位于 图案化的光刻胶掩模下，从而形成堆栈，该方法包含：

相对于该图案化的光刻胶掩模打开该中间掩模层；

刻蚀该功能化的有机层，包含：

使含氧硫化碳和卤素成分的刻蚀气体流入；

形成等离子体；以及

停止该刻蚀气体的流入;

其中该功能化的有机层是聚合物，并具有硅成分。

9.如权利要求8所述的方法，进一步包含将基片卡持机构的温度 保持为大于5℃。

10.如权利要求8所述的方法，其中该中间掩模层是含硅的有机防 反射涂层（ARC）。

11.如权利要求8所述的方法，其中所述堆栈进一步包含刻蚀层， 该刻蚀层位于该功能化的有机层下，该刻蚀层包含氧化物、氮 化钛、有机硅酸盐玻璃中的至少一种。

12.如权利要求8所述的方法，其中所述堆栈进一步包含刻蚀层， 该刻蚀层位于该功能化的有机层下，该刻蚀层是由电介质材料 制成的，而该刻蚀特征是触点。

13.如权利要求8所述的方法，进一步包含：

在打开该中间掩模层之前，将该堆栈放入等离子体处理 室；以及

在刻蚀该功能化的有机层之后，从该等离子体处理室除 去该堆栈。

14.如权利要求8所述的方法，其中该刻蚀该功能化的有机层缩小 该刻蚀特征的关键尺寸。

15.一种用于控制功能化的有机层中的刻蚀特征的关键尺寸的装 置，该功能化的有机层位于中间掩模层下，该中间掩模层位于 图案化的光刻胶掩模下，从而形成堆栈，该装置包含：

等离子体处理室，包含：

形成等离子体处理室外壳的室壁；

用于在该等离子体处理室外壳内支撑晶片的基片支 架；

用于调节该等离子体处理室外壳中的压强的压强调 节器；

至少一个电极，用于向该等离子体处理室外壳提供 能量以维持等离子体；

用于向该等离子体处理室外壳内提供气体的气体入 口；以及

用于从该等离子体处理室外壳中排出气体的气体出 口；

与该气体入口流体连通的气体源，包含；

中间掩模层打开气体源；

氧硫化碳气体源；以及

功能化的有机层打开气体源；

控制器，可控地连接于该气体源和该至少一个电极，包 含：

至少一个处理器，其被配置用于执行以下步骤：

打开该中间掩模层；

打开该功能化的有机层，包含：

使含氧硫化碳的打开气体从该氧硫化碳气 体源流入；

从该打开气体形成等离子体；

停止该打开气体流入该处理室；

其中该功能化的有机层是聚合物，并具有硅成分；

和该功能化的有机层打开气体具有卤素成分。