[发明专利]修复图形损伤的方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体器件的制造领域，尤其涉及一种修复图形损伤的方法。

背景技术

图形化工艺是一种用于半导体组件的制作中常见的工艺或技术。通常一个半导体衬底会被涂上一层光敏材料(light-sensitive material)，如一光刻胶层；然后使用一个图形化掩模版，将半导体衬底暴露于射线下而显露一种光化学效应(photochemical effect)于光刻胶层上，以产生印于光刻胶层上的一种光刻胶层图案。

现有在半导体器件制作过程中，用多次采用图形化的工艺。尤其在制作功率器件时，如专利申请号为200710094354的中国专利申请中提及的通常采用厚铝(一般2微米以上)作为顶层布线，在形成厚铝布线的过程中，在定义布线图形时，厚铝上的光刻胶在紫外硬烘烤后会产生严重缩胶的现象，致使布线图形尺寸产生变化，在经过刻蚀工艺后，在厚铝布线边沿处的通孔会被曝露出来，这样的结果会导致电路断开，对电性造成严重影响。

发明内容

本发明解决的问题是提供一种修复图形损伤的方法，防止光刻胶层在烘烤后缩胶，使厚铝布线图形尺寸产生变化，在刻蚀后导致通孔露出，而致使电路断开。

为解决上述问题，本发明一种修复图形损伤的方法，包括：将测试布线图形转移至控片表面的光刻胶层上，所述测试布线图形的临界尺寸与目标尺寸一致；对光刻胶层进行烘烤后，形成测试布线；测量测试布线的临界尺寸后将测试布线图形与测试布线的临界尺寸输入软件，得出缩减关系；通过所述缩减关系以及目标尺寸形成修正后测试布线图形；将修正后测试布线图形转移至厚铝上，形成目标尺寸的厚铝布线。

可选的，所述控片为空白晶圆。

可选的，所述对光刻胶层进行烘烤为紫外线烘烤。

可选的，所述增大测试布线图形在光学近距修正软件中进行。

与现有技术相比，本发明具有以下优点：将测试布线图形转移至控片表面的光刻胶层上，所述测试布线图形的临界尺寸与目标尺寸一致；对光刻胶层进行烘烤后，形成测试布线；测量测试布线的临界尺寸后将测试布线图形与测试布线的临界尺寸输入软件，得出缩减关系；通过所述缩减关系以及目标尺寸形成修正后测试布线图形。最后形成的厚铝布线的临界尺寸与目标尺寸一致，有效解决了图形化工艺中光刻胶被紫外硬烘烤后会产生严重缩胶而致使布线图形尺寸产生变化的情况，使刻蚀后的厚铝布线边沿完全覆盖住通孔，避免断路的发生，提高了半导体器件的质量。另外，采用OPC(光学近距修正)工艺对图形进行修复，成本低，效率高。

附图说明

图1是本发明修复图形损伤的具体实施方式流程图；

图2至图7是本发明修复图形损伤的实施例示意图。

具体实施方式

目前，业界为了实现微小的CD(临界尺寸)，必须使光掩膜上更加精细的图像聚焦在半导体衬底的光刻胶上，并且必须增加光学分辨率，以制造接近光掩膜工艺中光学分辨率极限的半导体器件。分辨率增强技术包括OPC(光学近距修正)方法。光学近距修正方法是预先修正光掩膜上的图形，例如在光掩膜上使用亚衍射极限辅助散射条(SRAF)作为辅助图形的方法。本发明采用OPC(光学近距修正)工艺在解决光学近距效应问题的同时，有效解决了图形化工艺中光刻胶被紫外硬烘烤后会产生严重缩胶而致使布线图形尺寸产生变化的情况，使刻蚀后的厚铝布线边沿完全覆盖住通孔，避免断路的发生，提高了半导体器件的质量。

本发明修复图形损伤的流程如图1所示，执行步骤S11，将测试布线图形转移至控片表面的光刻胶层上，所述测试布线图形的临界尺寸与目标尺寸一致。

所述控片为空白晶圆，在控片上只涂覆有光刻胶层，其中此光刻胶层与后续在厚铝上形成的光刻胶层厚度、材料等参数一致。

经过曝光显影工艺后，在光刻胶层上形成的布线图形的临界尺寸与测试布线图形是一致的。

所述测试布线图形可以是OPC软件中定义好的布局图形。

执行步骤S12，对光刻胶层进行烘烤后，形成测试布线。

对光刻胶进行的烘烤为紫外线硬烘烤，经过烘烤后的光刻胶层产生缩胶现象，使光刻胶层上的布线图形临界尺寸发生变化，即形成临界尺寸小于目标尺寸的测试布线。

执行步骤S13，将测试布线图形与测试布线的临界尺寸输入软件，得出缩减关系。

所述软件为光学近距修正软件。

上述得到的缩减关系说明了光刻胶层经过紫外线硬烘烤后的缩胶程度。

执行步骤S14，通过所述缩减关系以及目标尺寸形成修正后测试布线图形。