[发明专利]半导体器件及其制造方法有效

专利信息
申请号: 200910212199.3 申请日: 2009-11-13
公开(公告)号: CN101740583A 公开(公告)日: 2010-06-16
发明(设计)人: 宫入秀和;长多刚;秋元健吾;山崎舜平 申请(专利权)人: 株式会社半导体能源研究所
主分类号: H01L27/12 分类号: H01L27/12;H01L29/786;H01L29/24;H01L29/423;H01L21/84;H01L21/34;G02F1/1362;G02F1/1368
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人: 申发振
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 半导体器件 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种显示器件,包含:

在绝缘表面上的第一栅电极;

在所述第一栅电极上的第一绝缘层;

在所述第一绝缘层上的第一源极区和第一漏极区;

在所述第一源极区和所述第一漏极区上的源电极和漏电极;

在所述源电极和所述漏电极上的第二源极区和第二漏极区;

在所述第二源极区和所述第二漏极区上的氧化物半导体层;

覆盖所述氧化物半导体层的第二绝缘层;和

在所述第二绝缘层上的第二栅电极,

其中,所述氧化物半导体层形成于所述第一绝缘层上,并与所述 第一栅电极重叠,

所述氧化物半导体层的至少一部分布置在所述源电极和所述漏电 极之间,并且

所述第二栅电极与所述氧化物半导体层以及所述第一栅电极重 叠。

2.按照权利要求1所述的显示器件,

其中,所述第一源极区和所述第一漏极区的侧表面的至少一部分 与所述氧化物半导体层接触,并且所述第二源极区和所述第二漏极区 的上表面和侧表面的至少一部分与所述氧化物半导体层接触。

3.按照权利要求1所述的显示器件,其中,所述第一栅电极的宽 度大于所述第二栅电极的宽度。

4.按照权利要求1所述的显示器件,其中,所述第一栅电极的宽 度小于所述第二栅电极的宽度。

5.按照权利要求1所述的显示器件,其中,所述第二栅电极的宽 度小于所述源电极与所述漏电极之间的距离。

6.按照权利要求1所述的显示器件,其中,所述显示器件内含在 从如下组中选择的一种中:电子纸、照相机、计算机、电视机、数字 相框、和移动电话。

7.按照权利要求1所述的显示器件,其中,所述显示器件内含在 便携式信息终端设备中。

8.按照权利要求1所述的显示器件,其中,所述第一栅电极和所 述第二栅电极具有相同的电位。

9.按照权利要求1所述的显示器件,其中,所述第一栅电极和所 述第二栅电极具有不同的电位。

10.一种半导体器件,包含:

像素部分和驱动电路,

其中,所述像素部分至少包括含有第一氧化物半导体层的第一薄 膜晶体管,

所述驱动电路包括EDMOS电路,所述EDMOS电路至少包括含 有第二氧化物半导体层的第二薄膜晶体管和含有第三氧化物半导体层 的第三薄膜晶体管,

所述第三薄膜晶体管包括在所述第三氧化物半导体层下方的第一 栅电极和在所述第三氧化物半导体层上方的第二栅电极,并且

所述第三氧化物半导体层的至少一部分布置在源电极和漏电极之 间,源极区设置在所述源电极的上方和下方,漏极区设置在所述漏电 极的上方和下方;并且,所述第二栅电极与所述第三氧化物半导体层 以及所述第一栅电极重叠。

11.按照权利要求10所述的半导体器件,其中,所述第一薄膜晶 体管与像素电极电连接,且所述像素电极利用与所述第二栅电极相同 的材料形成。

12.按照权利要求10所述的半导体器件,其中,所述第一薄膜晶 体管与像素电极电连接,且所述像素电极使用与所述第二栅电极不同 的材料形成。

13.按照权利要求10所述的半导体器件,其中,所述第一氧化物 半导体层、所述第二氧化物半导体层、所述第三氧化物半导体层、源 极区、和漏极区包括铟、镓、和锌的至少一种。

14.按照权利要求10所述的半导体器件,其中,所述第一栅电极 和所述第二栅电极具有相同的电位。

15.按照权利要求10所述的半导体器件,其中,所述第一栅电极 和所述第二栅电极具有不同的电位。

16.按照权利要求10所述的半导体器件,其中,所述半导体器件 内含在从如下组中选择的一种中:电子纸、相机、计算机、电视机、 数字相框、和移动电话。

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