[发明专利]光伏元件装置的制造方法无效
申请号: | 200910212338.2 | 申请日: | 2009-11-06 |
公开(公告)号: | CN102054895A | 公开(公告)日: | 2011-05-11 |
发明(设计)人: | 王宗薪;陈来成;郑铁扉;洪伸锜;粘守裕;杜信璋;林汉斌;徐享桢;顾乃桓;林育圣;林明辉 | 申请(专利权)人: | 均豪精密工业股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 11139 | 代理人: | 孙皓晨 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 元件 装置 制造 方法 | ||
1.一种光伏元件装置的制造方法,其特征在于,包括有下列步骤:
步骤1:提供一具有一第一表面、一第二表面以及环设在所述的两个表面四周的复数个侧面的第一型半导体基板;
步骤2:在所述的第二表面以及所述的这些复数个侧面上形成一遮罩层;
步骤3:以扩散制程在所述的第一表面上形成一第二型半导体层;
步骤4:去除所述的遮罩层;
步骤5:在所述的第二型半导体层的表面沉积一抗反射层;
步骤6:在所述的抗反射层的表面以及第二表面用网版印刷形成一第一电极与一第二电极,完成一光伏元件装置。
2.根据权利要求1所述光伏元件装置的制造方法,其特征在于:在步骤1与步骤2之间更包括有下列步骤:
步骤1-1:将所述的第一表面致绒化。
3.根据权利要求1所述光伏元件装置的制造方法,其特征在于:步骤2是以化学气相沉积形成所述的遮罩层。
4.根据权利要求1所述光伏元件装置的制造方法,其特征在于:所述的遮罩层是氮化硅。
5.根据权利要求1所述光伏元件装置的制造方法,其特征在于:所述的第一型半导体是P型半导体,而第二型半导体是N型半导体。
6.根据权利要求1所述光伏元件装置的制造方法,其特征在于:所述的第一型半导体是P型硅半导体,而第二型半导体是N型硅半导体。
7.根据权利要求5所述光伏元件装置的制造方法,其特征在于:所述的扩散制程是磷扩散制程。
8.根据权利要求1所述光伏元件装置的制造方法,其特征在于:在步骤6之后更包括有下列步骤:
步骤7:将所述的光伏元件装置烧结。
9.根据权利要求8所述光伏元件装置的制造方法,其特征在于:在步骤7之后更包括有下列步骤:
步骤8:测试所述的光伏元件装置的光电特性。
10.根据权利要求1所述光伏元件装置的制造方法,其特征在于:步骤4是使用氢氟酸作化学蚀刻去除所述的遮罩层。
11.根据权利要求1所述光伏元件装置的制造方法,其特征在于:在步骤3与步骤4之间更包括有下列步骤:
步骤3-1:去除所有表面上因热氧化所形成的氧化物。
12.一种光伏元件装置的制造方法,其特征在于:包括有下列步骤:
步骤1:提供一具有一第一表面、一第二表面以及环设在所述的两个表面四周的复数个侧面的第一型半导体基板;
步骤2:将所述的基板翻转180度;
步骤3:在所述的第二表面以及所述的这些复数个侧面上形成一遮罩层;
步骤4:将所述的基板翻转180度;
步骤5:以扩散制程在所述的第一表面上形成一第二型半导体层;
步骤6:去除所述的遮罩层;
步骤7:在所述的第二型半导体层的表面沉积一抗反射层;
步骤8:在所述的抗反射层的表面以及第二表面用网版印刷形成一第一电极与一第二电极,完成一光伏元件装置。
13.根据权利要求12所述光伏元件装置的制造方法,其特征在于:在步骤1与步骤2之间更包括有下列步骤:
步骤1-1:将所述的第一表面致绒化。
14.根据权利要求12所述光伏元件装置的制造方法,其特征在于:步骤3是以化学气相沉积形成所述的遮罩层。
15.根据权利要求12所述光伏元件装置的制造方法,其特征在于:所述的遮罩层是氮化硅。
16.根据权利要求12所述光伏元件装置的制造方法,其特征在于:所述的第一型半导体是P型半导体,而第二型半导体是N型半导体。
17.根据权利要求12所述光伏元件装置的制造方法,其特征在于:所述的第一型半导体是P型硅半导体,而第二型半导体是N型硅半导体。
18.根据权利要求16所述光伏元件装置的制造方法,其特征在于:所述的扩散制程是磷扩散制程。
19.根据权利要求12所述光伏元件装置的制造方法,其特征在于:在步骤8之后更包括有下列步骤:
步骤9:将所述的光伏元件装置烧结。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的