[发明专利]光伏元件装置的制造方法

权利要求书

1.一种光伏元件装置的制造方法，其特征在于，包括有下列步骤：

步骤1：提供一具有一第一表面、一第二表面以及环设在所述的两个表面四周的复数个侧面的第一型半导体基板；

步骤2：在所述的第二表面以及所述的这些复数个侧面上形成一遮罩层；

步骤3：以扩散制程在所述的第一表面上形成一第二型半导体层；

步骤4：去除所述的遮罩层；

步骤5：在所述的第二型半导体层的表面沉积一抗反射层；

步骤6：在所述的抗反射层的表面以及第二表面用网版印刷形成一第一电极与一第二电极，完成一光伏元件装置。

2.根据权利要求1所述光伏元件装置的制造方法，其特征在于：在步骤1与步骤2之间更包括有下列步骤：

步骤1-1：将所述的第一表面致绒化。

3.根据权利要求1所述光伏元件装置的制造方法，其特征在于：步骤2是以化学气相沉积形成所述的遮罩层。

4.根据权利要求1所述光伏元件装置的制造方法，其特征在于：所述的遮罩层是氮化硅。

5.根据权利要求1所述光伏元件装置的制造方法，其特征在于：所述的第一型半导体是P型半导体，而第二型半导体是N型半导体。

6.根据权利要求1所述光伏元件装置的制造方法，其特征在于：所述的第一型半导体是P型硅半导体，而第二型半导体是N型硅半导体。

7.根据权利要求5所述光伏元件装置的制造方法，其特征在于：所述的扩散制程是磷扩散制程。

8.根据权利要求1所述光伏元件装置的制造方法，其特征在于：在步骤6之后更包括有下列步骤：

步骤7：将所述的光伏元件装置烧结。

9.根据权利要求8所述光伏元件装置的制造方法，其特征在于：在步骤7之后更包括有下列步骤：

步骤8：测试所述的光伏元件装置的光电特性。

10.根据权利要求1所述光伏元件装置的制造方法，其特征在于：步骤4是使用氢氟酸作化学蚀刻去除所述的遮罩层。

11.根据权利要求1所述光伏元件装置的制造方法，其特征在于：在步骤3与步骤4之间更包括有下列步骤：

步骤3-1：去除所有表面上因热氧化所形成的氧化物。

12.一种光伏元件装置的制造方法，其特征在于：包括有下列步骤：

步骤1：提供一具有一第一表面、一第二表面以及环设在所述的两个表面四周的复数个侧面的第一型半导体基板；

步骤2：将所述的基板翻转180度；

步骤3：在所述的第二表面以及所述的这些复数个侧面上形成一遮罩层；

步骤4：将所述的基板翻转180度；

步骤5：以扩散制程在所述的第一表面上形成一第二型半导体层；

步骤6：去除所述的遮罩层；

步骤7：在所述的第二型半导体层的表面沉积一抗反射层；

步骤8：在所述的抗反射层的表面以及第二表面用网版印刷形成一第一电极与一第二电极，完成一光伏元件装置。

13.根据权利要求12所述光伏元件装置的制造方法，其特征在于：在步骤1与步骤2之间更包括有下列步骤：

步骤1-1：将所述的第一表面致绒化。

14.根据权利要求12所述光伏元件装置的制造方法，其特征在于：步骤3是以化学气相沉积形成所述的遮罩层。

15.根据权利要求12所述光伏元件装置的制造方法，其特征在于：所述的遮罩层是氮化硅。

16.根据权利要求12所述光伏元件装置的制造方法，其特征在于：所述的第一型半导体是P型半导体，而第二型半导体是N型半导体。

17.根据权利要求12所述光伏元件装置的制造方法，其特征在于：所述的第一型半导体是P型硅半导体，而第二型半导体是N型硅半导体。

18.根据权利要求16所述光伏元件装置的制造方法，其特征在于：所述的扩散制程是磷扩散制程。

19.根据权利要求12所述光伏元件装置的制造方法，其特征在于：在步骤8之后更包括有下列步骤：

步骤9：将所述的光伏元件装置烧结。