[发明专利]高速大功率半导体光源

权利要求书

1.一种高速大功率半导体光源，其包括：

相对设置的p电极和n电极；

主振荡部分，且该主振荡部分为单模高速DFB-LD或DBR-LD；

功率放大部分，该功率放大部分位于该主振荡部分的后方；

其特征在于：该功率放大部分的主轴线与该主振荡部分的主轴线有一定的倾斜角，该高速大功率半导体光源进一步包括一隔离槽，该隔离槽设置于该p电极上且位于该主振荡部分与该功率放大部分之间。

2.如权利要求1所述的高速大功率半导体光源，其特征在于：该隔离槽的深度为1-6微米，宽度为5-50微米。

3.如权利要求1所述的高速大功率半导体光源，其特征在于：该隔离槽的宽度为30微米。

4.如权利要求1所述的高速大功率半导体光源隔离槽，其特征在于：在该n电极上相对于该隔离槽设置一浅槽，该浅槽的深度为1-10微米，宽度为25-100微米。

5.如权利要求1所述的高速大功率半导体光源，其特征在于：该功率光放大部分的前端为一过渡光波导，且主振荡部分的主轴线与功率放大部分的主轴线之间的该倾斜角为锐角夹角，且通过该过渡光波导实现平滑连接。

6.如权利要求5所述的高速大功率半导体光源，其特征在于：该过渡光波导的长度为50-300微米，该夹角为5-12度。

7.如权利要求5所述的高速大功率半导体光源，其特征在于：该功率光放大部分的前端为一过渡光波导，后端为一锥形放大部分，且在该过渡光波导的光输出端与锥形放大部分之间平滑连接。

8.如权利要求1所述的高速大功率半导体光源，其特征在于：该功率放大部分的前端为一过渡光波导，后端为一锥形放大部分，且在该过渡光波导的光输出端与锥形放大部分之间还进一步设置一第二隔离槽。

9.如权利要求6、7或8所述的高速大功率半导体光源，其特征在于：该过渡光波导为弯曲的过渡光波导。