[发明专利]参考电压产生电路无效

专利信息
申请号: 200910215536.4 申请日: 2009-12-28
公开(公告)号: CN101881985A 公开(公告)日: 2010-11-10
发明(设计)人: 赵殷相 申请(专利权)人: 东部高科股份有限公司
主分类号: G05F3/22 分类号: G05F3/22;G05F3/26
代理公司: 北京博浩百睿知识产权代理有限责任公司 11134 代理人: 宋子良;阮伟
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 参考 电压 产生 电路
【权利要求书】:

1.一种参考电压产生电路,包括:

运算放大器,所述运算放大器根据分别输入到所述运算放大器的反相输入端和所述运算放大器的同相输入端的参考电压输出恒定的电压;以及

启动电路,当所述启动电路从空闲模式切换为工作模式时,所述启动电路用于唤醒所述运算放大器,所述启动电路包括:第一第一型晶体管,所述第一第一型晶体管具有连接至所述运算放大器的输出的栅极、连接至供电电压的源极、以及连接至第一电阻器和第二电阻器的漏极,以根据来自所述运算放大器的输出电压向第一电阻器和第二电阻器提供恒定的参考电流,从而产生带隙输出电压,

其中,所述第一电阻器和所述第二电阻器与输出带隙输出电压的级并联连接。

2.根据权利要求1所述的参考电压产生电路,其中,所述启动电路进一步包括:

低通滤波器,其中,所述低通滤波器包括第二第一型晶体管和第一第二型晶体管,以从所述带隙输出电压去除射频噪声;以及

第二第二型晶体管,所述第二第二型晶体管用于在空闲模式控制所述带隙输出电压为0V。

3.根据权利要求2所述的参考电压产生电路,其中,所述低通滤波器的第二第一型晶体管具有栅极和源极,所述源极连接至所述第一电阻器和所述第二电阻器之间并同时连接于所述第二第一型晶体管的栅极,其中,所述低通滤波器的第二第一型晶体管具有连接于所述第一第二型晶体管的栅极的漏极,其中,所述第一第二型晶体管具有连接于接地电压的源极、以及连接于所述接地电压的漏极。

4.根据权利要求1所述的参考电压产生电路,其中,所述启动电路进一步包括:

第二第一型晶体管,所述第二第一型晶体管具有连接于供电电压的源极、栅极、以及连接于所述第二第一型晶体管的栅极的漏极,当所述启动电路从空闲模式切换到工作模式时,所述第二第一型晶体管导通;

第一第二型晶体管,所述第一第二型晶体管具有连接于所述第二第一型晶体管的漏极的漏极,当所述启动电路从空闲模式切换到工作模式时,所述第一第二型晶体管截止,从而使所述供电电压在所述第一第二型晶体管的漏极中作为漏极电压被充电;

第二第二型晶体管,所述第二第二型晶体管具有连接至所述第二第一型晶体管的漏极和所述第一第二型晶体管的漏极的栅极、以及连接至所述运算放大器的输出的漏极,所述第二第二型晶体管通过在所述第一第二型晶体管的漏极中充电的电压而导通;以及

第三和第四第二型晶体管,每个所述第三和第四第二型晶体管均具有连接于提供反相断电信号的级的栅极,所述反相断电信号在所述启动电路从空闲模式切换到工作模式时产生,所述第三和第四第二型晶体管通过所述反相断电信号同时导通。

5.根据权利要求4所述的参考电压产生电路,其中,所述第一第二型晶体管具有连接至所述第一第一型晶体管的漏极的栅极、以及连接至所述第四第二型晶体管的漏极的源极,其中,所述第二第二型晶体管具有连接至所述第三第二型晶体管的漏极的源极,其中,每个所述第三和第四第二型晶体管具有连接至接地电压的源极。

6.根据权利要求4所述的参考电压产生电路,其中,所述第三和第四第二型晶体管在空闲模式下通过所述反相断电信号截止,并且所述第一第二型晶体管通过在空闲模式下产生的0V带隙输出电压截止。

7.根据权利要求1所述的参考电压产生电路,进一步包括:

第二和第三第一型晶体管,每个所述第二和第三第一型晶体管均具有连接至所述供电电压的源极,每个所述第二和第三第一型晶体管利用所述供电电压输出对应于来自所述运算放大器的输出电压的偏置电流;

参考电压电路,包括第一节点和第二节点,所述第一节点和第二节点分别连接于所述运算放大器的反相输入端和同相输入端,以利用从所述第二和第三第一型晶体管输出的偏置电流,经由所述第一节点和第二节点分别向所述运算放大器的反相输入端和同相输入端提供所述参考电压;以及

第四第一型晶体管,所述第四第一型晶体管具有连接至所述供电电压的源极、连接至提供反相断电信号的级的栅极,所述第四第一型晶体管根据所述反相断电信号向所述第二和第三第一型晶体管提供所述供电电压。

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