[发明专利]发光器件封装在审

专利信息
申请号: 200910215647.5 申请日: 2009-12-30
公开(公告)号: CN101807651A 公开(公告)日: 2010-08-18
发明(设计)人: 宋镛先 申请(专利权)人: LG伊诺特有限公司
主分类号: H01L33/48 分类号: H01L33/48;H01L33/64;H01L25/00;H01L23/367
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 潘士霖;李春晖
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 发光 器件 封装
【权利要求书】:

1.一种发光器件封装,包括:

封装体,所述封装体包括在所述封装体的下表面中形成的多个不连续 的且分离的三维形状的凹部,所述凹部被配置用于耗散所述封装体中产生 的热量;

所述封装体中的腔;

发光器件,所述发光器件包括在所述封装体的腔内的、且被配置用于 发光的至少一个发光二极管;以及

第一金属层和第二金属层,所述第一金属层和第二金属层在所述腔的 内表面上,并分别从接近于所述发光器件的部分延伸至所述封装体的相对 的外表面侧,所述第一金属层和第二金属层用作电极,用于接通和断开所 述发光器件,

其中,所述第一金属层和第二金属层中的至少一个金属层包括多个突 出部,所述多个突出部填充所述封装体的下表面中形成的多个不连续的且 分离的三维形状的凹部,

其中,所述第一金属层和第二金属层中的所述至少一个金属层的材料 与填充所述封装体的下表面中形成的多个不连续的且分离的三维形状的 凹部的所述多个突出部的材料相同。

2.根据权利要求1所述的发光器件封装,还包括:

绝缘层,所述绝缘层形成在所述封装体上的所述第一金属层和第二金 属层的下方以及所述多个不连续的且分离的三维形状的凹部上,

其中,所述发光器件直接位于所述绝缘层上。

3.根据权利要求2所述的发光器件封装,其中所述第一金属层和第 二金属层在所述封装体的周围以及所述多个不连续的且分离的三维形状 的凹部上方延伸,并且所述绝缘层被布置在所述第一金属层和第二金属层 的下面。

4.根据权利要求1所述的发光器件封装,其中在所述腔内延伸的所 述第一金属层和第二金属层包括对通过发光器件发射的光进行反射的金 属材料。

5.根据权利要求1所述的发光器件封装,其中所述第一金属层和第 二金属层在所述发光器件下面延伸。

6.根据权利要求1所述的发光器件封装,其中在所述封装体的下表 面中的所述多个不连续的且分离的三维形状的凹部包括锥体形状。

7.根据权利要求1所述的发光器件封装,其中所述封装体包括硅衬 底。

8.根据权利要求1所述的发光器件封装,其中所述腔在上部处的宽 度比所述腔的下部的宽度宽。

9.根据权利要求1所述的发光器件封装,还包括:

在所述腔中的覆盖所述发光器件的树脂材料。

10.根据权利要求1所述的发光器件封装,还包括:

印刷电路板,所述印刷电路板包括具有所述发光器件且经由焊料而被 安装到所述印刷电路板的封装体。

11.根据权利要求1所述的发光器件封装,其中所述腔具有向外倾斜 的内表面,所述内表面包括被配置用于对通过发光器件发射的光进行反射 的反射材料。

12.根据权利要求1所述的发光器件封装,其中所述第一金属层在所 述发光二极管下面穿过,所述第二金属层在所述发光二极管处中断,导线 将所述第二金属层连接到所述发光二极管,以用于接通和断开所述发光二 极管。

13.根据权利要求1所述的发光器件封装,其中所述第一金属层和第 二金属层在所述发光二极管处中断,两条导线分别将所述第一金属层和第 二金属层连接到所述发光二极管,以用于接通和断开所述发光二极管。

14.根据权利要求1所述的发光器件封装,其中所述多个不连续的且 分离的三维形状的凹部具有四棱锥形状,并且通过以下等式来定义对应的 三维形状的凹部的面积:

A=1.73b2

其中“b”是所述四棱锥的底面积。

15.根据权利要求1所述的发光器件封装,其中对应的不连续的且分 离的三维形状的凹部的倾斜角为大约54.74°。

16.一种发光器件封装,包括:

封装体,所述封装体包括在所述封装体的下表面中形成的多个不连续 的且分离的三维形状的凹部,所述凹部被配置用于耗散所述封装体中产生 的热量;

所述封装体中的腔;

所述封装体上的绝缘层,其中所述绝缘层位于所述多个不连续的且分 离的三维形状的凹部上;

发光器件,所述发光器件包括在所述封装体的腔内的、且被配置用于 发光的至少一个发光二极管;

第一金属层和第二金属层,所述第一金属层和第二金属层在所述腔的 内表面上,并分别从接近于所述发光器件的部分延伸至所述封装体的相对 的外表面侧,所述第一金属层和第二金属层用作电极,用于接通和断开所 述发光器件;以及

第三金属层,所述第三金属层在位于所述不连续的且分离的三维形状 的凹部上的所述绝缘层上,并通过预定的缝隙与所述第一金属层和第二金 属层相分离。

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